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TI,NVSRAM

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电源电压(V)存储器密度(Kb)SRAM 控制块数复位输出封装/温度(℃)
共查询到 2 条数据.
产品图片产品型号厂商描述资料库存数价格(含13%增值税)购买数量RoHS电源电压(V)存储器密度(Kb)SRAM 控制块数复位输出封装/温度(℃)
BQ2201SN Texas Instruments 非易失性SRAM控制单元 暂无
1+CNY 40.00
25+CNY 34.00
50+CNY 32.00
100+CNY 30.00
250+CNY 29.00
500+CNY 28.00
1000+CNY 26.00


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5 - 1 No SOIC-8/0~70
BQ2201PN Texas Instruments 非易失性SRAM控制单元 暂无
1+CNY 33.00
25+CNY 28.10
50+CNY 26.40
100+CNY 24.75
250+CNY 23.93
500+CNY 23.10
1000+CNY 21.45


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5 - 1 No PDIP-8/0~70
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