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NXP,达林顿晶体管

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类型集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V)集电极最大电流IC(Max.)(A)直流电流增益hFE最小值(dB)直流电流增益hFE最大值(dB)最小电流增益带宽乘积Ft(MHz)总功耗PD(W)封装/温度(℃
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产品图片产品型号厂商描述资料库存数价格(含13%增值税)购买数量RoHS类型集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V)集电极最大电流IC(Max.)(A)直流电流增益hFE最小值(dB)直流电流增益hFE最大值(dB)最小电流增益带宽乘积Ft(MHz)总功耗PD(W)封装/温度(℃
BCV47,215 NXP Semiconductors "BCV47,215"60V,500mA NPN达林顿晶体管 暂无 暂无

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NPN 60 0.5 2000 - 220 250 SOT-23-3/-65~150
BCV49,115 NXP Semiconductors "BCV49,115"60V,500mA NPN达林顿晶体管 暂无 暂无

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NPN 60 0.5 2000 - 220 1.3 SOT-89-3/-65~150
BCV46,215 NXP Semiconductors PNP达林顿晶体管 暂无
1+CNY 2.13
25+CNY 1.91
50+CNY 1.70
100+CNY 1.49
250+CNY 1.28
500+CNY 1.05
1000+CNY 0.85


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PNP -60 -0.8 2000 - 220 0.25 SOT-23-3/-60~150
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