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ST,达林顿晶体管

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类型集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V)集电极最大电流IC(Max.)(A)直流电流增益hFE最小值(dB)直流电流增益hFE最大值(dB)最小电流增益带宽乘积Ft(MHz)总功耗PD(W)封装/温度(℃)
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产品图片产品型号厂商描述资料库存数价格(含13%增值税)购买数量RoHS类型集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V)集电极最大电流IC(Max.)(A)直流电流增益hFE最小值(dB)直流电流增益hFE最大值(dB)最小电流增益带宽乘积Ft(MHz)总功耗PD(W)封装/温度(℃)
BD682 STMicroelectronics 100V,4A,PNP达林顿晶体管 暂无
1+CNY 2.60
25+CNY 2.50
50+CNY 2.37
100+CNY 2.34
250+CNY 2.26
500+CNY 2.18
1000+CNY 2.08


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PNP 100 4 750 - - 40 SOT-32-3/-65~150
TIP122 STMicroelectronics 100V,5A,NPN达林顿晶体管 暂无
1+CNY 1.29
25+CNY 1.29
50+CNY 1.29
100+CNY 1.29
250+CNY 1.29
500+CNY 1.29
1000+CNY 1.29


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NPN 100 5 1000 - - - TO-220-3/-65~150
TIP127 STMicroelectronics 100V,5A,PNP达林顿晶体管 暂无
1+CNY 1.70
25+CNY 1.70
50+CNY 1.70
100+CNY 1.70
250+CNY 1.70
500+CNY 1.70
1000+CNY 1.70


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PNP -100 -5 1000 - - 65 TO-220-3/-65~150
BD677 STMicroelectronics 60V,4A,NPN功率达林顿晶体管 暂无 暂无

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NPN 60 4 750 - - 40 SOT-32-3/-~150
BD678 STMicroelectronics -60V,-4A,PNP功率达林顿晶体管 暂无 暂无

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PNP -60 -4 750 - - 40 SOT-32-3/-~150
MJD112T4 STMicroelectronics 100V,2A,NPN达林顿晶体管 暂无 暂无

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NPN 100 2 1000 12000 25 20 DPAK-3/-~150
BDX53C STMicroelectronics 100v,8A,NPN互补功率达林顿晶体管 暂无
1+CNY 1.10
25+CNY 1.10
50+CNY 1.10
100+CNY 1.10
250+CNY 1.10
500+CNY 1.10
1000+CNY 1.10


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NPN 100 8 750 - - 60 TO-220-3/-~150
ULN2002D1013TR STMicroelectronics 50V,500mA,7 NPN达林顿晶体管阵列 暂无 暂无

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NPN - 500 1000 - - - SOIC-16/-40~85
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