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CYPRESS，同步SRAM存储器

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类别体系结构位密度(bit)组织结构内核电压(V)端口电压(V)速度(MHz)封装/温度(℃)
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产品图片产品型号厂商描述资料库存数价格(含13%增值税)购买数量RoHS类别体系结构位密度(bit)组织结构内核电压(V)端口电压(V)速度(MHz)封装/温度(℃)
CY7C1303BV25-167BZC Cypress Semiconductor 18Mbit，Burst of 2，QDR结构，流水线SRAM 暂无 暂无

查看详细 		QDR 2 Word Burst 18M 1M x 18 2.5 HSTL I/Os:1.4~1.9 167 FBGA-165/0~70
CY7C1305BV25-167BZC Cypress Semiconductor 18Mbit，Burst of 4，QDR结构，流水线SRAM 暂无 暂无

查看详细 		QDR 4 Word Burst 18M 1M x 18 2.5 HSTL I/Os:1.4~1.9 167 FBGA-165/0~70
CY7C1312BV18-167BZC Cypress Semiconductor 18-Mb QDR-II SRAM（2-Word Burst结构） 暂无 暂无

查看详细 		QDR-II 2 Word Burst 18M 1M x 18 1.8 1.4~Vdd 167 FBGA-165/0~70
CY7C1312BV18-200BZC Cypress Semiconductor 18-Mb QDR-II SRAM（2-Word Burst结构） 暂无 暂无

查看详细 		QDR-II 2 Word Burst 18M 1M x 18 1.8 1.4~Vdd 200 FBGA-165/0~70
CY7C1312BV18-200BZI Cypress Semiconductor 18-Mb QDR-II SRAM（2-Word Burst结构） 暂无 暂无

查看详细 		QDR-II 2 Word Burst 18M 1M x 18 1.8 1.4~Vdd 200 FBGA-165/-40~85
CY7C1312BV18-200BZXC Cypress Semiconductor 18-Mb QDR-II SRAM（2-Word Burst结构） 暂无 暂无

查看详细 		QDR-II 2 Word Burst 18M 1M x 18 1.8 1.4~Vdd 200 FBGA-165/0~70
CY7C1312BV18-250BZC Cypress Semiconductor 18-Mb QDR-II SRAM（2-Word Burst结构） 暂无 暂无

查看详细 		QDR-II 2 Word Burst 18M 1M x 18 1.8 1.4~Vdd 250 FBGA-165/0~70
CY7C1313BV18-167BZC Cypress Semiconductor 4字Burst结构,18-Mbit QDR-II SRAM 暂无 暂无

查看详细 		QDR-II 4 Word Burst 18M 1M x 18 1.8 1.4~Vdd 167 FBGA-165/0~70
CY7C1313BV18-200BZC Cypress Semiconductor 4字Burst结构,18-Mbit QDR-II SRAM 暂无 暂无

查看详细 		QDR-II 4 Word Burst 18M 1M x 18 1.8 1.4~Vdd 200 FBGA-165/0~70
CY7C1313BV18-250BZC Cypress Semiconductor 4字Burst结构,18-Mbit QDR-II SRAM 暂无 暂无

查看详细 		QDR-II 4 Word Burst 18M 1M x 18 1.8 1.4~Vdd 250 FBGA-165/0~70
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