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Vishay新型第三代 1200 V SiC 肖特基二极管,提升开关电源设计能效和可靠性
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Vishay 推出 16 款新型第三代 1200 V 碳化硅(SiC)肖特基二极管。Vishay Semiconductors 器件采用混合 PIN  肖特基(MPS)结构设计,具有高浪涌电流保护能力,低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低,有助于提升开关电源设计能效和可靠性。

日前发布的新一代 SiC 二极管包括 5 A 至 40 A 器件,采用 TO-220AC 2L、TO-247AD 2L 和 TO-247AD 3L 插件封装和 D2PAK 2L(TO-263AB 2L)表面贴装封装。由于采用 MPS 结构——利用激光退火背面减薄技术——二极管电容电荷低至 28 nC,正向压降减小为 1.35 V。此外,器件 25 °C 下典型反向漏电流仅为 2.5 µA,因此降低了导通损耗,确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同,第三代器件几乎没有恢复拖尾,从而能够进一步提升效率。

新型碳化硅 (SiC) 肖特基二极管
•  器件采用 MPS 结构设计,额定电流 5 A ~ 40 A
•  低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低


碳化硅二极管典型应用包括 FBPS 和 LLC 转换器 AC/DC 功率因数校正(PFC)和 DC/DC 超高频输出整流,适用于光伏逆变器、储能系统、工业驱动器和工具、数据中心等。这些严苛的应用环境中,器件工作温度可达 + 175 °C,正向额定浪涌电流保护能力高达 260 A。此外,D2PAK 2L 封装二极管采用高 CTI ≥ 600 的塑封料,确保电压升高时优异的绝缘性能。
器件具有高可靠性,符合 RoHS 标准,无卤素,通过 2000 小时高温反偏(HTRB)测试和 2000 次热循环温度循环测试。

器件规格表


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