Vishay 推出一款采用无引线键合（BWL）封装并具有业内先进导通电阻的新款 80 V TrenchFET® Gen IV N 沟道功率 MOSFET，旨在提高工业应用的效率。与相同尺寸的竞品器件相比，Vishay Siliconix SiEH4800EW 的导通电阻低 15 %，而 RthJC 低 18 %。

SiEH4800EW

• 采用 PowerPAK® 8x8SW 封装，RDS(ON) 低至 0.88 mΩ，可提高效率
• 这款节省空间的器件最大 RthJC 低至 0.36 ℃ / W，并配有易于吸附焊锡的侧翼，从而改善工业应用的热性能和可焊性

日前发布的器件在 10 V 下的导通电子典型值为 0.88 mΩ，最大限度降低了传导造成的功率损耗，从而提高了效率，同时以低至 0.36 ℃/W 的最大 RthJC 改善了热性能。这款节省空间的器件体积为 8 mm x 8 mm，与采用 TO-263 封装的 MOSFET 相比，PCB 面积减少 50 %，而且其厚度仅为 1 mm。

SiEH4800EW 采用融合的焊盘，将源焊盘的可焊面积增加到 3.35 mm2，比传统 PIN 焊接面积大四倍。这降低了 MOSFET 和 PCB 之间的电流密度，从而降低了电迁移的风险，使设计更加可靠。此外，器件易于吸附焊锡的侧翼增强了可焊性，同时更容易通过目视检查焊点的可靠性。

这款 MOSFET 非常适合同步整流和 Oring 应用。典型应用包括电机驱动控制器、电动工具、焊接设备、等离子切割机、电池管理系统、机器人和 3D 打印机。在这些应用中，该器件可在 + 175 ℃ 的高温下工作，而其 BWL 设计可将寄生电感降至最低，同时使电流能力最大化。

MOSFET 符合 RoHS 标准，无卤素，并且经过 100 % 的 Rg 和 UIS 测试。

对比表：D2PAK、PowerPAK 8x8L 和 PowerPAK 8x8SW 对比