Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK® 8 x 8 LR 封装的第四代 600 V E 系列功率MOSFET，为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比，Vishay Siliconix n 沟道 SiHR080N60E 导通电阻降低 27 %，导通电阻与栅极电荷乘积，即 600 V MOSFET 在功率转换应用中的重要优值系数（ FOM ）下降 60 %，额定电流高于 D2PAK 封装器件，同时减小 占位面积。


第四代 600 V E 系列功率 MOSFET：
• RDS(ON)*QgFOM 达到业内先进水平
• 第四代器件，额定功率和功率密度高于 D2PAK 封装产品
• 降低导通和开关损耗，从而提升能效

Vishay 丰富的 MOSFET 技术全面支持功率转换过程，涵盖需要高压输入到低压输出的各种先进高科技设备。随着 SiHR080N60E 的推出，以及其他第四代 600 V E 系列器件的发布，Vishay 可在电源系统架构设计初期满足提高能效和功率密度两方面的要求—包括功率因数校正（ PFC ）和后面的 DC / DC 转换器砖式电源。典型应用包括服务器、边缘计算、超级计算机、数据存储、UPS、高强度放电（ HID ）灯和荧光镇流器、通信 SMPS、太阳能逆变器、焊接设备、感应加热、电机驱动，以及电池充电器。

SiHR080N60E 采用小型 PowerPAK 8 x 8 LR 封装，外形尺寸为 10.42 mm x 8 mm x 1.65 mm，占位面积比 D2PAK 封装减小 50.8 %，高度降低 66 %。由于封装采用顶侧冷却，因此具有出 色的热性能，结壳（漏极）热阻仅为 0.25 °C / W。相同导通电阻下，额定电流比 D2PAK 封装高 46 %，从而显著提高功率密度。此外，封装的鸥翼引线结构具有优异的温度循环性能。

SiHR080N60E 采用 Vishay 先进的高能效E系列超级结技术，10 V 下典型导通电阻仅为 0.074 Ω，超低栅极电荷下降到 42 nC。器件的 FOM 为 3.1 Ω*nC，达到业内先进水平，这些性能参数意味着降低了传导和开关损耗，从而实现节能并提高 2 kW 以上电源系统的效率。日前发布的 MOSFET 有效输出电容 Co(er) 和 Co(tr) 典型值分别仅为 79 pF 和 499 pF，有助于改善硬开关拓扑结构开关性能，如 PFC、半桥和双开关顺向设计。封装还提供开尔文（ Kelvin ）连接，以提高开关效率。

器件符合 RoHS 标准，无卤素，耐受雪崩模式下过压瞬变，并保证极限值 100 %通过 UIS 测试。