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AOI2N60
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CNY 2.03
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CNY 1.92
1000+
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厂商： AOS
库存件数： 暂无
货期： 暂无
数量： 
- ＋
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  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

配置：单
通道极性：N沟道
漏源电压VDS(V)：600
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：4400
最大漏极电流Id(on)(A)：2
总功耗PD(W)：56.8
封装/温度(℃)：TO-251A-3/-50~150
描述：600V,2A,N沟道MOSFET
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