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STD6N90K5
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 41.91
25+
CNY 27.94
50+
CNY 20.96
100+
CNY 13.97
250+
CNY 13.27
500+
CNY 12.92
1000+
CNY 12.57
厂商: STMicroelectronics
库存件数: 暂无
货期: 现货
数量: 
-
  ×41.91 = 41.91
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):900
源漏极最大导通电阻(mΩ):1100
最大电流漏极Id(on)(A):6
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPAK-3/-55~150
描述:900V,1.1Ω,6A,N通道功率MOSFET
温馨提示

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