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FDS8949
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 9.17
25+
CNY 7.44
50+
CNY 6.55
100+
CNY 5.86
250+
CNY 5.29
500+
CNY 4.83
1000+
CNY 4.44
厂商: Fairchild
库存件数: 12500
货期: 香港库存(7-10工作日)
数量: 
-
  ×4.44 = 11100.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):40
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):29
最大漏极电流Id(on)(A):6
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOIC-8/-55~150
描述:40V,6A,29mΩ,双N沟道逻辑电平PowerTrench MOSFET
温馨提示

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