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FDC855N
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 1.43
25+
CNY 1.27
50+
CNY 1.22
100+
CNY 1.16
250+
CNY 1.12
500+
CNY 1.07
1000+
CNY 1.01
厂商： Fairchild
库存件数： 2660
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×1.43 = 1.43
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：27
最大漏极电流Id(on)(A)：6.1
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：SOT-6L/-55~150
描述：30V,N沟道功率MOSFET
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