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NTB110N65S3HF
厂商：
onsemi
库存件数：
2049
货期：
现货
数量：
×64.62 =
64.62
产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
| 源漏极间雪崩电压VBR(V)： | 650 |
| 源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)： | 110 |
| 最大漏极电流Id(on)(A)： | 30 |
| 通道极性： | N沟道 |
| 封装/温度(℃)： | D2PAK-3/-55~150 |
| 描述： | 650V，30A，110mΩ，N沟道SUPERFET III MOSFET |