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厂商名称:onsemi
主要产品:高能效电源管理、模拟、传感器、逻辑、时序、互通互联、分立、系统单芯片(SoC)及定制器件
onsemi 产品搜索
安森美是一家领先的半导体制造商,提供80,000多款不同的器件和全球供应链,为数以百计的市场的数以十万名客户提供服务。

安森美通过收购和强健的内部发展,已在数个市场和技术上取得领先地位,这些市场和技术推动了公司的增长,包括汽车、工业和云电源。2021年,为了更好地反映其广泛的技术组合、差异化的产品线和市场领导地位,安森美半导体将自己重新命名为安森美(onsemi)

技术仍会塑造着我们的未来。它有助于解决世界上一些最具挑战性的问题,如产生可再生能源、提供更安全的交通、改善医疗保健和联接全球。安森美处于智能技术进步的最前沿,提供电源和感知方案,这是变革的重要基石。我们正以技术建立一个可持续的智能世界。onsemi处于智能技术进步的前沿,提供电力和传感解决方案,是变革的重要基石。我们正在通过技术建设一个可持续的智能世界。

我们将推动创新,创造智能电源和感知技术,解决最具挑战性的客户问题。我们的员工每天都受鼓舞,以高质量和高价值的产品和服务来提高利益相关者的价值。

安森美在世界各地设有设计、解决方案工程(SEC)、制造、销售及支援据点。

更多信息请访问 https://www.onsemi.cn 。
数据转换器
差分逻辑与时钟管理器件

 


产品图片 产品型号 描述 发布时间 购买
NZQA5V6XV5T1G 用于进行ESD保护的四TVS阵列 2021-10-18
MOC3072SM 三端双向可控硅驱动器光耦合器 2021-10-18
NL17SZ125XV5T2G 非反向三态缓冲器 2021-09-28
NSPM3031MXT5G 3.3V双向ESD和电涌保护器件 2021-09-28
NCP4306AAHZZZADR2G 次级侧同步整流驱动器 2021-09-28
CAT24C08C4ATR 8Kb I2C串行EEPROM存储器 2021-09-28
ESD8006MUTAG 低电容ESD保护二极管阵列 2021-09-28
MOC3023M 6引脚DIP 400V任意相位三端双向可控硅开关驱动器输出光电耦合器 2021-09-28
FDPC8014S 25/25V,3.8/1.2mΩ,20/41A双N沟道功率MOSFET 2021-09-28
AR0330CM1C21SHKA0-CP CMOS图像传感器 2021-09-28
MC74LCX07DR2G 六缓冲器/驱动器(漏极开路输出) 2021-09-14
NCV431AIDR2G 可编程精密基准 2021-09-14
NCP3337MNADJR2G 超高精度,低Iq,500mA,低压差稳压器 2021-09-14
NCP711BMT330TBG LDO稳压器,100mA,18V 2021-09-14
SC2904DR2G 单/双路低噪声运放 2021-09-03
NCV8675DS50R4G 350mA低静态电流低压差稳压器 2021-09-03
FDMC7570S 25V,40A,2mΩ,N沟道功率Trench SyncFET 2021-09-03
FDD86252 150V,52mΩ,27A单N沟道功率MOSFET 2021-09-03
MBRS320T3G 3A,20V表面安装肖特基势垒功率整流管 2021-09-03
2SD1628G-TD-E 20V,5A,低VCE(sat),NPN双极型晶体管 2021-09-03
74VHC123AMTCX 双通道可触发多谐振荡器 2021-09-03
MC74LCX573DWR2G 低电压CMOS八D锁存器 2021-09-03
FDB86360-F085 80V,1.8mΩ,110A,N沟道功率MOSFET 2021-08-23
SZSMS24T1G ESD/电涌保护器 2021-08-23
BZX79C3V9-T50A 齐纳二极管,0.5W 5% 2021-08-23
FCPF1300N80Z 800V,6A,1.3Ω,N沟道功率MOSFET 2021-08-02
BDX54CG 8A,100V,65W PNP达林顿双极晶体管 2021-08-02
MOCD207M 8引脚SOIC双通道输出光电耦合器 2021-08-02
NTBG020N090SC1 900V,20mΩ,112A,N沟道碳化硅MOSFET 2021-08-02
NB7L86AMNHTBG 2.5V/3.3V具有输出电平选择的 SiGe差分智能门 2021-08-02
MUN5336DW1T1G 互补NPN+PNP 双极数字晶体管 (BRT) 2021-08-02
AR0144CSSC20SUKA0-CPBR CMOS图像传感器,数字,全局快门,1MP 2021-08-02
NTBLS4D0N15MC 150V,4.4mΩ,187A,N沟道功率MOSFET 2021-08-02
NTBS9D0N10MC 100V,9mΩ,60A,N沟道功率MOSFET 2021-08-02
NTMFS011N15MC 150V,11.5mΩ,35A单N沟道功率MOSFET 2021-08-02
FDMQ8205A GreenBridgeTM 2系列高效桥式整流器 2021-08-02
NCP1342ANDAAD1R2G 准谐反激式振控制器 2021-08-02
FCPF650N80Z 800V,650mΩ,10A,N沟道功率MOSFET 2021-08-02
FDMC8010 30V,1.3mΩ,75A,N沟道功率MOSFET 2021-08-02
NTH4L080N120SC1 1200V,80mΩ,29A,N沟道碳化硅MOSFET 2021-08-02
NTH4L160N120SC1 1200V, 224mΩ,17.3A,N沟道碳化硅MOSFET 2021-08-02
NTMFS1D15N03CGT1G 30V,1.15mΩ,245A,N沟道功率MOSFET 2021-08-02
NVD5C454NT4G 40V,83A,4.2mΩ,单N沟道功率MOSFET 2021-08-02
FGAF40N60UFDTU 600V, PT IGBT 2021-08-02
FGY75T95SQDT IGBT,950V,75A 2021-08-02
NTHL160N120SC1 1200V,224mΩ, 17A,N沟道碳化硅MOSFET 2021-08-02
NV25640DWHFT3G EEPROM串行64Kb SPI-汽车级0 2021-06-07
FCP099N65S3 650V,30A,99mΩ,N通道功率MOSFET 2021-06-07
6N137SM 高速10MBit/s逻辑门光电耦合器 2021-06-07
FGH40T100SMD-F155 1000V,40A,场截止沟道IGBT 2021-06-07
NCV8164AML300TCG LDO稳压器,300mA,超低噪声,高PSRR 2021-06-07
NCV8164AML150TCG LDO稳压器,300mA 2021-06-07
MC100EPT20DTG 3.3V LVTTL/LVCMOS到差分LVPECL转换器 2021-05-13
NLV17SZU04DFT2G 单无缓冲反相器 2021-05-13
CAT25020VI-GT3 1Kb, 2Kb和4Kb SPI串行CMOS EEPROM 2021-05-13
NST3904F3T5G NPN通用晶体管 2021-05-13
MBRB20100CTG 20A,100V肖特基势垒功率整流器 2021-05-13
TIP30CG 互补型硅塑料功率晶体管 2021-05-13
NL17SGU04P5T5G 单反相器(非缓冲输出) 2021-05-13
FAN53526UC89X 3A,2.4MHz,数字可编程TinyBuck稳压器 2021-05-13
NVBLS4D0N15MC 150V,4.4mΩ,187A,单N沟道功率MOSFET 2021-05-13
NCP302150MNTWG 集成式驱动器和MOSFET,45A 2021-05-13
FIN3386MTDX 低电压,28 位,平板显示屏链路串化器/去串化器 2021-05-13
NCV8164AML150TCG LDO稳压器,300mA 2021-05-13
NOIP1FN025KA-GTI CMOS 图像传感器,26.2 MP,全局快门 2021-05-13
FDBL9403-F085T6 40V,0.95mΩ,300A,N沟道功率MOSFET 2021-05-13
FSA321UMX 多媒体和USB 2.0高速和音频开关 2021-04-22
NCV8164AML120TCG LDO稳压器,300mA,1.2V,超低噪声 2021-04-22
NCV8164AML180TCG LDO稳压器,300mA,1.8V,超低噪声 2021-04-22
NTMFS015N15MC 150V,14mΩ,61A,单N沟道功率MOSFET 2021-03-12
NTPF360N80S3Z 800V,360mΩ,13A,N沟道功率MOSFET 2021-03-12
NCV8164AMLADJTCG LDO稳压器,300mA 2021-03-12
NCP164AMT180TAG LDO稳压器,300mA 2021-03-12
NCV8164AML280TCG LDO稳压器,300mA,2.8V,超低噪声 2021-03-12
MC74LCX240DTR2G 低压CMOS八缓冲器 2021-03-05
NCP164AMTADJTAG LDO稳压器,300mA 2021-03-05
NCP164AMT120TAG LDO稳压器,300mA 2021-03-05
FCP190N65S3 650V,190mΩ,17A,N沟道功率MOSFET 2021-02-19
NCV8711ASN330T1G LDO稳压器,100mA,18V,PG 2021-02-19
NCP711BMT500TBG LDO稳压器,100mA,18V 2021-02-19
NCV8711ASN300T1G LDO稳压器,100mA,18V 2021-02-19
NCP164AMT280TAG LDO稳压器,300mA 2021-02-19
NCV8711ASN330T1G LDO稳压器,100mA,18V,PG 2021-01-29
NCP711ASNADJT1G LDO稳压器,100 mA,18V 2021-01-29
NCP711ASN300T1G LDO稳压器,100mA,18V,PG 2021-01-29
NCP711BMT500TBG LDO稳压器,100mA,18V 2021-01-29
NCP711BMT330TBG LDO稳压器,100mA,18V 2021-01-29
NCV5173EDR2G 1.5A, 280kHz/560 kHz升压调节器 2021-01-21
MC74VHC132DTR2G 四2输入施密特触发正与非门 2021-01-21
BCW65CLT1G 硅NPN通用晶体管 2021-01-21
NCP711ASN330T1G LDO稳压器,100 mA,18 V 2021-01-21
NCP711ASN500T1G LDO稳压器,100mA,18V 2021-01-21
NCP711BMT300TBG LDO稳压器,100mA,18V,1uA IQ,带PG 2021-01-21
NCP711BMTADJTBG LDO稳压器,100mA,18V,带PG 2021-01-21
NCP711ASNADJT1G LDO稳压器,100 mA,18V 2021-01-21
NCP711ASN300T1G LDO稳压器,100mA,18V,PG 2021-01-21
NCV8711ASN300T1G LDO稳压器,100mA,18V 2021-01-21
NCP164AMT280TAG LDO稳压器,300mA 2021-01-21
NCP164AMTADJTAG LDO稳压器,300mA 2021-01-21
NCV8164AML280TCG LDO稳压器,300mA,2.8V,超低噪声 2021-01-21
NCV8164AML120TCG LDO稳压器,300mA,1.2V,超低噪声 2021-01-21
NCV8164AML180TCG LDO稳压器,300mA,1.8V,超低噪声 2021-01-21
NCV8164AML300TCG LDO稳压器,300mA,超低噪声,高PSRR 2021-01-21
TLV272DMR2G 3MHz,低功耗,CMOS运算放大器 2021-01-21
NCP711BMT300TBG LDO稳压器,100mA,18V,1uA IQ,带PG 2021-01-21
NCP711BMTADJTBG LDO稳压器,100mA,18V,带PG 2021-01-21
NVTFS015N04CTAG 40V,17.3mΩ,27A,N沟道功率MOSFET 2021-01-13
FSBB10CH120D 智能功率模块(IPM),1200V,10A 2021-01-13
NCP1063AP100G 用于离线SMPS的高压开关,100kHz 2021-01-13
NCP711ASN330T1G LDO稳压器,100 mA,18 V 2021-01-13
NCP711ASN500T1G LDO稳压器,100mA,18V 2021-01-13
FSBB15CH60C 600V,15A,Motion SPM®3系列智能功率模块 2020-12-28
FCB125N65S3 650V,125mΩ,24A,N沟道功率MOSFET 2020-12-28
NCV8711ASN500T1G LDO稳压器,100mA,18V,1uA IQ,带PG 2020-12-17
NTBG160N120SC1 1200V,160mΩ,19.5A,N沟道碳化硅MOSFET 2020-12-17
NTP360N80S3Z 800V,360mΩ,13A,N沟道功率MOSFET 2020-12-02
FCB125N65S3 650V,125mΩ,24A,N沟道功率MOSFET 2020-12-02
LV8968BBUWR2G 汽车用多功能BLDC栅极驱动器 2020-11-25
NTDS015N15MCT4G 150V,15mΩ,50A,N沟道功率MOSFET 2020-11-25
NVBG080N120SC1 1200V,80mΩ,300A,N沟道碳化硅MOSFET 2020-11-25
NTBG040N120SC1 1200V,56mΩ,60A,N沟道碳化硅MOSFET 2020-11-11
FFSB20120A SiC二极管,1200V,20A 2020-11-11
NTP5D0N15MC 150V,5mΩ,139A,N沟道功率MOSFET 2020-11-11
NTBG020N120SC1 1200V,20mΩ,98A,N沟道碳化硅MOSFET 2020-11-11
NTBG040N120SC1 1200V,56mΩ,60A,N沟道碳化硅MOSFET 2020-11-11
FFSB20120A SiC二极管,1200V,20A 2020-11-11
NVHL050N65S3HF 650V,50mΩ,58A,N沟道功率MOSFET 2020-11-11
NCV8711ASN500T1G LDO稳压器,100mA,18V,1uA IQ,带PG 2020-11-11
NTPF360N80S3Z 800V,360mΩ,13A,N沟道功率MOSFET 2020-11-11
NVMFS3D6N10MCLT1G 100V,3.6mΩ,132A,N沟道功率MOSFET 2020-11-11
NTMFS011N15MC 150V,11.5mΩ,35A单N沟道功率MOSFET 2020-11-11
FIN1101K8X LVDS 1 端口高速中继器 2020-10-22
AR0144CSSC00SUKA0-CPBR CMOS图像传感器,数字,全局快门,1MP,RGB 2020-10-22
NTMFS3D6N10MCLT1G 100V,3.6mΩ,131A,N沟道功率MOSFET 2020-10-22
NTD360N80S3Z 800V,360mΩ,13A,N沟道功率MOSFET 2020-10-22
NTMFS015N10MCLT1G 100V,12.2mΩ,54A,单N沟道功率MOSFET 2020-10-22
NVMFS015N10MCLT1G 100V,12.2mΩ,47.1A单N沟道功率MOSFET 2020-10-14
NVHL050N65S3HF 650V,50mΩ,58A,N沟道功率MOSFET 2020-10-14
NVBLS4D0N15MC 150V,4.4mΩ,187A,单N沟道功率MOSFET 2020-10-14
NVTFS6H860NLTAG 80V,20mΩ,30A,单N沟道功率MOSFET 2020-10-14
NTMFS015N15MC 150V,14mΩ,61A,单N沟道功率MOSFET 2020-10-14
NVMFS6H864NLT1G 80V,29mΩ,22A,单N沟道功率MOSFET 2020-09-24
NTP5D0N15MC 150V,5mΩ,139A,N沟道功率MOSFET 2020-09-14
FDPF44N25T 250V,44A,69mΩ,N沟道功率MOSFET 2020-08-31
NCV8711ASNADJT1G LDO调节器,100mA,18V,带有PG ADJ 2020-08-31
NCL30486A2DR2G 智能调光CC/CV PSR控制器线路OVP,1%调光 2020-08-31
NTBG080N120SC1 1200V,110mΩ,30A,N沟道碳化硅MOSFET 2020-08-31
NTBLS4D0N15MC 150V,4.4mΩ,187A,N沟道功率MOSFET 2020-08-31
NTBS9D0N10MC 100V,9mΩ,60A,N沟道功率MOSFET 2020-08-31
FUSB252UMX 高速数字 (HSD) 端口保护开关,带 C 型 CC 2020-08-17
FDMA905P 单P沟道功率MOSFET -12V,-10A,16mΩ 2020-08-17
NVMFS6H818NLT1G 80V,3.2mΩ,135A,单N沟道功率MOSFET 2020-08-17
NVMFS6H864NLT1G 80V,29mΩ,22A,单N沟道功率MOSFET 2020-08-17
NVMFD6H846NLT1G 80V,15mΩ,31A,双N沟道功率MOSFET 2020-08-17
NTP360N80S3Z 800V,360mΩ,13A,N沟道功率MOSFET 2020-08-17
NTTFS1D8N02P1E 25V,1.3mΩ,150A,单N沟道功率MOSFET 2020-08-17
NCN5130ASGEVB NCN5130 KNX Arduino屏蔽兼容评估板 2020-08-10
NVBG160N120SC1 1200V,160mΩ,19.5A,N沟道碳化硅MOSFET 2020-08-10
FAN53555UC04X 5A,2.4MHz,数字可编程TinyBuck稳压器 2020-07-31
MBR0530 0.5A,30V,肖特基功率整流器 2020-07-28
MM3Z12VB 12.0V,200mW,2%,齐纳二极管 2020-07-28
MMBFJ202 N通道通用放大器 2020-07-28
FODM1009R2 单通道,DC感应输入,光电晶体管光电耦合器 2020-07-28
LM431SCCM32X 2.5V,±0.5%容差,可调式分流稳压器 2020-07-17
S100 1A肖特基势垒整流器 2020-07-17
J175-D26Z P通道开关 2020-07-17
NCV8114ASN250T1G LDO稳压器,300mA,2.5V AD 2020-07-06
NTMFS5H431NLT1G 40V,106A,3.3mΩ,单N沟道功率MOSFET 2020-06-23
BC858CMTF 310mW,PNP外延硅晶体管 2020-05-28
ESD7351XV2T1G 3.3V,150mW,ESD保护二极管 2020-05-28
NBA3N5573MNTXG PCIe时钟发生器,汽车级,双输出,3.3V 2020-05-28
1N4740ATR 齐纳二极管,10V 1W 5% 2020-05-28
NCV-RSL10-101Q48-AVG 无线电SoC 2020-05-28
MC74HC164BDR2G 8位串行输入/并行输出移位寄存器 2020-05-21
NLV14541BDTR2G 可编程数字计数器 2020-05-21
NLV74HC164ADR2G 8位串入并出移位寄存器 2020-05-21
NLV74HC164ADTR2G 8位串入并出移位寄存器 2020-05-21
NLV9306USG 双向I2C总线和SMBus电压电平转换器 2020-05-21
CAT24C512HU5IGT3 512K,I2C串行存储器 2020-05-21
CAT25M01YI-GT3 1Mb,SPI串行CMOS EEPROM 2020-05-21
CAV24C32YE-GT3 32Kb,I2C CMOS串行EEPROM 2020-05-21
CAV25512VE-GT3 512-Kb SPI汽车级串行EEPROM 2020-05-21
CAV25M01VE-GT3 1Mb,SPI汽车级EEPROM串行 2020-05-21
CAV93C76VE-GT3 汽车级8Kb微线串行EEPROM 2020-05-21
NV25256MUW3VTBG 256K位,SPI串行EEPROM 2020-05-21
NLV74AC14DR2G 带施密特触发器输入的六角反相器 2020-01-07
NLV74HC14ADTR2G 施密特触发入六角反相器 2020-01-07
NLV74HCT14ADR2G 六角反相器 2020-01-07
NLVHCT244ADTR2G 八路3态非反相缓冲器 2020-01-07
NLV74VHCT08ADTR2G 四路2输入与门 2020-01-07
NLVVHC1G132DFT1G 具有施密特触发器输入的单路2输入与非门 2020-01-07
MC100EP52DR2G ECL,差分D触发器 2020-01-07
MC74HC74ADG 双D触发器,带置位和复位端 2020-01-07
MC74HCT125ADTR2G 具有LSTTL兼容输入的四路同相三态缓冲器 2020-01-07
MC74VHC50DR2G 六缓冲器 2020-01-07
MMBT100 NPN通用放大器 2020-01-07
FCP125N65S3R0 650V,24A,125mΩ,N通道功率MOSFET 2020-01-07
NTSAF545T3G 沟槽肖特基整流器,低正向电压,45V,5A 2020-01-07
AFGB40T65SQDN 650V,40A IGBT 2019-12-26
NRVHP820MFDT1G 200V,超快恢复双模整流器 2019-12-26
NRVHPRS1AFA 0.8A,50V,表面贴装快速恢复整流器 2019-12-26
NRVHPRS1GFA 0.8A,400V,表面贴装快速恢复二极管 2019-12-26
NRVUHS160VT3G 600V,1A超快速整流器 2019-12-26
NRVUS360VDBT3G 600V,3A,表面贴装超快速电源整流器 2019-12-26
RHRP30120 30A,1200V,超快速二极管 2019-12-26
SURS8320T3G 200V,3A超快恢复功率整流器 2019-12-26
FFSD0465A 650V,4A,碳化硅肖特基二极管 2019-12-26
FFSM0865A 650V,8A,碳化硅二极管 2019-12-26
FFSPF0865A 650V,8A,碳化硅(SiC)肖特基二极管 2019-12-26
FFSPF1065A 650V,10A,碳化硅肖特基二极管 2019-12-26
NRVB1240MFST1G 12A,40V肖特基二极管 2019-12-26
NRVB440MFSWFT1G 4A,40V,肖特基功率整流器,开关模式 2019-12-26
NTS1045EMFST1G 10A,45V,极低漏电沟槽肖特基整流器 2019-12-26
ESD8004MUTAG ESD保护阵列,USB 3.0 2019-12-26
SZESD7104MUTAG ESD保护二极管,低电容,高速数据 2019-12-26
FDMS3D5N08LC 80V,136A,3.5mΩ,单N通道功率MOSFET 2019-12-10
FDPF20N50 500V,20A,230mΩ,N通道功率MOSFET 2019-12-10
FDPF4D5N10C 100V, 128A,4.5mΩ,N通道PowerMOSFET 2019-12-10
FDPF8D5N10C 100V,76A,8.5mΩ,N沟道屏蔽栅极功率MOSFET 2019-12-10
FDS8978 30V,7.5A,18mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-12-10
FDU5N50NZTU 500V,4A,1.5Ω,N通道功率MOSFET 2019-12-10
FDU5N60NZTU 600V,4A,2Ω,N通道功率MOSFET 2019-12-10
FQL40N50 500V,40A,110mΩ,N通道功率MOSFET 2019-12-10
FQP7N80C 800V,6.6A,1.9Ω,N沟道功率QFET MOSFET 2019-12-10
FQP9N50C 500V,9A,800mΩ,N通道功率MOSFET 2019-12-10
NTB110N65S3HF 650V,30A,110mΩ,N沟道SUPERFET III MOSFET 2019-12-10
NTMFS5C442NLTT3G 40V,130A,2.5mΩ,单N沟道功率MOSFET 2019-12-10
NTMFS5H630NLT1G 60V,120A,3.1mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-12-10
NTTFS4C05NTWG 30V,75A,3.6mΩ单N沟道功率MOSFET 2019-12-10
NTTFS4C08NTAG 30V,52A,5.9mΩ,单N沟道功率MOSFET 2019-12-10
NTTFS4C13NTAG 30V,38A,9.4mΩ,单N沟道功率MOSFET 2019-12-10
NTTFS5C453NLTWG 40V,107A,3mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-12-10
NVD3055L170T4G 60V,9A,170mΩ,N沟道逻辑电平功率MOSFET 2019-12-10
NVHL027N65S3F 650V,65A,27.4mΩ,单N沟道功率MOSFET 2019-12-10
NVMFS4C310NT1G 30V,51A,6mΩ,单N通道功率MOSFET 2019-12-10
NVMFS5C426NWFAFT1G 40V,235A,1.3mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-12-10
SZ1SMA5936BT3G 30V,1.5W齐纳稳压管 2019-12-10
SZMM3Z16VST1G 16V齐纳二极管电压稳压器 2019-12-10
SZMM3Z43VT1G 300mW,43V,±5%齐纳稳压管 2019-12-10
SZMM5Z2V4T5G 500mW标准容差齐纳二极管稳压器 2019-12-10
SZMMBZ5234BLT1G 225mW 5%齐纳稳压管6.2V 2019-12-10
SZMMSZ5230BT1G 500mW,齐纳二极管 2019-12-10
SZMMSZ5237BT1G 500mW,齐纳二极管 2019-12-10
SZMMSZ5V6T1G 500mW,5.6V,±5%齐纳稳压管 2019-12-10
FCA20N60 600V,20A,190mΩ,N通道功率MOSFET 2019-11-21
FDC8886 30V,6.5A,23mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-11-21
FDI038AN06A0 60V,80A,3.8mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-11-21
FDL100N50F 500V,100A,55mΩ,N沟道UniFETTM MOSFET 2019-11-21
AR0144CSSC00SUKA0-CRBR1 CMOS图像传感器 2019-11-21
FCB36N60NTM 600V,36A,90mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-11-01
FCH077N65F-F155 650 V,54 A,77mΩ,N通道功率MOSFET 2019-11-01
FCH47N60NF 600V,45.8A,65mΩ,N通道功率MOSFET 2019-11-01
FCP22N60N 600V,22A,165mΩ,N沟道SupreMOS MOSFET 2019-11-01
FCP36N60N 600V,36A,90mΩ,N沟道SupreMOS MOSFET 2019-11-01
FCPF190N60E 600V,20.6A,190mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-11-01
FCPF20N60 600V,190mΩ,20A,N通道功率MOSFET 2019-11-01
FCU850N80Z 800V,6A,850mΩ,N通道功率MOSFET 2019-11-01
MB10S 0.5A,整流桥 2019-11-01
74LVC06ADR2G 具有漏极开路输出和5V容差低压六路反向器 2019-11-01
NC7SZ32L6X 2输入或门 2019-11-01
2SA2039-E -50V,-5A,低VCE(sat),PNP双极晶体管 2019-10-10
CPH5524-TL-E PNP/NPN互补低VCE(Sat)晶体管,(-)50V,(-)6A 2019-10-10
NSVF5488SKT3G 用于低噪声放大器的RF晶体管 2019-10-10
GBPC3508 35A,桥式整流器 2019-10-10
2SK3557-7-TB-E 15V,10~32mA,N沟道JFET 2019-10-10
SZMMBZ5226BLT1G 225mW,3.3V,±5%齐纳稳压管 2019-10-10
SZMMSZ4705T1G 18V,齐纳稳压管 2019-09-19
SZMMSZ5233BT1G 500mW,齐纳二极管 2019-09-19
SURA8260T3G 600V,2A超快恢复功率整流器 2019-09-19
NRVS3KB 3A,800V表面贴装整流器 2019-09-19
SBAS21DW5T1G 250V高压开关二极管 2019-09-19
NSVBAS20LT3G 200V开关二极管 2019-09-19
SZSM05T1G 5V,双路共阳二极管TVS带ESD保护 2019-09-19
SRV05-4MR6T1G 具有低钳位电压的ESD保护二极管 2019-09-19
ESDU3121MXT5G 12V单向ESD保护器件 2019-09-19
ESD8704MUTAG 单向高速数据线保护 2019-09-19
MUN5213DW1T3G 双路NPN双极数字晶体管 2019-09-19
NSBA124EDXV6T1G 50V双极数字晶体管(BRT) 2019-09-19
NSVMMUN2233LT3G NPN双极数字晶体管(BRT) 2019-09-19
NCP1117DT18T5G 1A,1.8V低压差稳压器 2019-09-19
NSVR201MXT5G 用于混频器和探测器的肖特基势垒二极管 2019-09-03
NTSAF345T3G 45V,3A,沟槽肖特基整流器,低正向电压 2019-09-03
SBAS40-04LT1G 40V,双路肖特基二极管 2019-09-03
NRVBB4030T4G 30V,40A肖特基整流二极管 2019-09-03
NRVBAF260T3G 60V,2A低VF肖特基整流器 2019-09-03
MM3Z75VB 75V,200mW,2%,齐纳管 2019-09-03
SZBZX84B18LT1G 250mW,18V,±2%,齐纳二极管电压调节器 2019-09-03
SZBZX84B5V6LT1G 225mW,5.6V,±2%齐纳稳压管 2019-09-03
SZBZX84C13ET1G 225W,13V,齐纳二极管 2019-09-03
SZMM3Z22VT1G 300mW,22V,±5%,齐纳二极管电压调节器 2019-09-03
SZMM5Z5V1ST1G 500mW,5.1V,±2%,齐纳稳压二极管 2019-09-03
SZMM5Z5V6ST1G 500mW,5.6V,±2%,齐纳稳压管 2019-09-03
SZMMBZ15VAWT1G 40W,15V,齐纳保护二极管 2019-09-03
SZMMSZ27T1G 500mW,27V,±5%,齐纳稳压管 2019-09-03
SZMMSZ4694T1G 8.2V,齐纳稳压管 2019-09-03
SZMMSZ4704T1G 17V低电流齐纳二极管电压稳压器 2019-09-03
NRVUD340T4G 400V,3A超快开关模式功率整流器 2019-09-03
NRVUS360VBT3G 600V,3A,超快速整流器 2019-09-03
FGA25N120ANTDTU 1200V,25A,NPT沟道IGBT 2019-08-16
FGA50T65SHD 650V,50A,场截止沟道IGBT 2019-08-16
FGH75T65SQDNL4 650V,75A,隔离门双极晶体管(IGBT),场截止型 2019-08-16
FGL60N100BNTDTU 1000V,60A,NPT沟道IGBT 2019-08-16
FGPF15N60UNDF 600V,15A,IGBT 2019-08-16
SGH40N60UFDTU 600V,20A,PT IGBT 2019-08-16
FFSB0665A 650V,6A,碳化硅肖特基二极管 2019-08-16
FFSB1065A -650V,10A,碳化硅(SIC)肖特基二极管 2019-08-16
FFSB1265A -650V,12A,碳化硅肖特基二极管, 2019-08-16
FFSD0665A -650V,6A,碳化硅肖特基二极管 2019-08-16
FFSH10120A-F085 1200V,10A,碳化硅肖特基二极管 2019-08-16
FFSH15120A 1200V,15A,碳化硅肖特基二极管 2019-08-16
FFSH1665A -650V,16A,碳化硅肖特基二极管 2019-08-16
FFSH1665ADN-F155 650V,16A,碳化硅肖特基二极管, 2019-08-16
FFSH2065A 20A,-650V,碳化硅二极管 2019-08-16
FFSH3065ADN-F155 650V,30A,碳化硅肖特基二极管 2019-08-16
FFSH3065B-F085 650V,30A,汽车级碳化硅(SiC)肖特基二极管 2019-08-16
FFSH40120A 1200V,40A,碳化硅肖特基二极管 2019-08-16
FFSH4065A 650V,40A,碳化硅肖特基二极管 2019-08-16
FFSH4065ADN-F155 650V,40A,碳化硅肖特基二极管 2019-08-16
FFSP2065A -650V,20A,碳化硅肖特基二极管 2019-08-16
FDP8D5N10C 100V,76A,8.5mΩ,N通道功率MOSFET 2019-07-22
FDPF045N10A 100V,67A,4.5mΩ,N沟道功率Trench MOSFET 2019-07-22
FQA13N80-F109 800V,12.6A,750mΩ,N沟道 QFET MOSFET 2019-07-22
FQA24N50 500V,24A,200mΩ,N沟道QFET MOSFET 2019-07-22
FQA38N30 300V,38.4A,85mΩ,N沟道QFET MOSFET 2019-07-22
FQD9N25TM 250V,7.4A,420mΩ,N沟道QFET MOSFET 2019-07-22
FQP11N40C 400V,10.5A,530mΩ,N沟道功率QFET MOSFET 2019-07-22
FQPF8N60C 600V,7.5A,1.2Ω,N沟道QFET Power MOSFET 2019-07-22
NTMFS4C024NT1G 30V,78A,2.8mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-07-22
NTMFS6D1N08HT1G 80V,89A,5.5mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-07-22
NVMFD5C470NT1G 40V,36A,11.4mΩ,双N沟道功率MOSFET 2019-07-22
NVMFS5C466NT1G 40V,49A,8.1mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-07-22
NTPF110N65S3HF 650V,30A,110mΩ,N通道功率MOSFET 2019-07-22
FCP165N65S3 650V,19A,165mΩ,N通道功率MOSFET 2019-07-22
FDS89161LZ 100V,2.7A,105mΩ,双N沟道屏蔽栅极MOSFET 2019-07-22
NLV74HC14ADR2G 带施密特触发器输入的六角反相器 2019-07-22
FCP20N60 600V,190mΩ,20A,N通道功率MOSFET 2019-07-22
FCH47N60N 600V,62mΩ,47A,N通道功率MOSFET 2019-07-22
FQP5N60C 600V,2500mΩ,4.5A,N通道功率MOSFET 2019-07-22
FQPF10N60C 600V,730mΩ,9.5A,N通道功率MOSFET 2019-07-22
NVHL072N65S3 650V,72mΩ,44A,单N沟道功率MOSFET 2019-07-22
FCP600N65S3R0 650V,6A,600mΩ,N通道功率MOSFET 2019-06-28
FCU4300N80Z 800V,1.6A,4.3Ω,N沟道SuperFET II MOSFET 2019-06-28
FDA18N50 500V,19A,265mΩ,N沟道 UniFETTM MOSFET 2019-06-28
FDB1D7N10CL7 100V,268A,1.7mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-06-28
FDD4N60NZ 600V,3.4A,2.5Ω,N沟道UniFETTM II MOSFET 2019-06-28
FDD5612 60V,18A,55mΩ,N沟道PowerTrench MOSFET 2019-06-28
FDMS003N08C 80V,147A,3.1mΩ,N沟道PowerTrench MOSFET 2019-06-28
FDP4D5N10C 100V,128A,4.5mΩ,N沟道功率Trench MOSFET 2019-06-28
CAT34TS02VP2GT4C 温度传感器,带EEPROM 2019-06-14
FFSP15120A 1200V,15A,碳化硅肖特基二极管 2019-06-14
2V7002WT1G 60V,340mA,1.6Ω,N沟道小信号MOSFET 2019-06-14
FCH041N60E 600V,77A,41mΩ,N沟道SuperFET MOSFET 2019-06-14
FCH072N60F-F085 600V,52A,62mΩ,N沟道SuperFET II MOSFET 2019-06-14
FCH125N65S3R0-F155 650V,24A,125mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-06-14
FCP260N65S3 650V,12A,260mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-06-14
RHRP15120 1200V,15A,超高速二极管 2019-05-16
FFSH10120ADN-F155 共阴极碳化硅(SiC)肖特基二极管,1200V,10A 2019-05-16
NCP1076ABP100G 用于稳健和高效电源的增强型离线开关稳压器 2019-05-16
NCP1076BAP130G 用于稳健和高效电源的增强型离线开关稳压器 2019-05-16
NCP1076BBP065G 用于稳健和高效电源的增强型离线开关稳压器 2019-05-16
LC823450XDTBG 低功耗,高分辨率音频处理片上系统(SoC) 2019-03-28
NCV20072DMR2G 运算放大器,宽电源范围,3MHz 2019-03-28
NCS2252SQ2T2G 50ns,高速低压,轨到轨,漏极开路比较器 2019-03-28
NCV2250SN2T1G 50ns,高速低压,轨到轨,推挽式比较器 2019-03-28
NCV214RSQT2G 电压输出,双向零漂移电流感应放大器 2019-03-28
NCP186BMX330TAG 1A,带使能,快速瞬态响应,线性稳压器 2019-03-28
NCP114ASN300T1G 3.0V固定输出,300mA,CMOS LDO稳压器 2019-03-28
NCP134AMX110TCG 具有偏置轨和极低压差的LDO稳压器 2019-03-28
NCP160AFCTC330T2G 250mA,正固定输出LDO稳压器 2019-03-28
NCP186AMX120TAG 1A,带使能,快速瞬态响应,LDO线性稳压器 2019-03-28
NCP186AMX295TAG 1A,带使能,快速瞬态响应,LDO线性稳压器 2019-03-28
NCP702SN28T1G 200mA,2.8V,低压差稳压器 2019-03-28
NCP718ASN180T1G LDO稳压器,低Iq,宽输入电压,固定1.8V 2019-03-28
NCV4263-2CD250R2G 有使能复位的LDO稳压器 2019-03-28
NCV4269CD150R2G 5V,带延迟,复位调节和检测输出LDO 2019-03-28
NCV8161BMX180TBG 1.8V,超低噪声和高PSRR LDO稳压器 2019-03-28
NCV8163ASN330T1G LDO稳压器,超低噪声和高PSRR,3.3V 2019-03-28
NCV8605MN18T2G 1.8V,低压差稳压器带ESD保护 2019-03-28
NCV8705MWADJTCG 可调节输出,超低Iq,超低噪声LDO稳压器 2019-03-28
FAN49101AUC340X 2A,1.8MHz,TinyPower I2C降压-升压调节器 2019-03-28
NCV6324BMTAATBG 3MHz,2.0A,同步降压转换器 2019-03-28
NCV431ASNT1G 低电压精密可调分流稳压器 2019-03-28
FSBF15CH60BT 600V,15A,智能电源模块 2019-03-14
FQPF6N90C 900V,6A,2.3Ω,N沟道MOSFET 2019-02-26
NJVMJD31CT4G 3A,100V,NPN双极功率晶体管 2019-02-26
FDMA530PZ 单P沟道 PowerTrench® MOSFET,-30V 2019-02-26
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FGH75T65SQD-F155 650V,75A,场截止沟道IGBT 2019-02-26
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NB3N3020DTR2G 3.3V可编程时钟复用器 2018-11-01
GBU8K 8A,桥式整流器 2018-10-19
FFSP0665A 650V,6A,碳化硅肖特基二极管 2018-10-19
NCL30060B3DR2G 高功率因数离线单级LED驱动器,带高压启动 2018-10-19
NCP1075BBP100G 用于稳健和高效电源的增强型离线开关稳压器 2018-10-19
NCP1076BBP100G 用于稳健和高效电源的增强型离线开关稳压器 2018-10-19
NCP1077BBP100G 用于稳健和高效电源的增强型离线开关稳压器 2018-10-19
NRVHPD660T4G 6A,600V,超快整流器 2018-10-19
NCV361SNT1G 1.2~20V,过压保护控制器 2018-10-19
1SV263-TL-E PIN二极管,50V,50mA,rs=2.5Ω(typ) 2018-10-19
2SC6017-TL-E NPN低VCE(Sat)晶体管,50V,10A 2018-10-19
EFC2J013NUZTDG 12V,17A,5.8mΩ,双N沟道功率MOSFET 2018-09-21
NCP1340B6DR2G 具有谷锁定切换功能的高电压准谐振控制器 2018-09-21
NCP163AFCT330T2G 250mA,超低噪声和高PSRR,LDO稳压器 2018-09-21
SZMMBZ5240ELT1G 225W,10V齐纳稳压管 2018-09-21
NRVTSAF345T3G 45V,3A,沟槽型肖特基功率整流器 2018-09-21
NSV9435T1G PNP双极数字晶体管 2018-08-30
NCP1392DDR2G 高压半桥MOSFET驱动器 2018-08-23
SZ1SMA5925BT3G 10V,1.5W,齐纳稳压二极管 2018-08-23
FOD8314T 1.0A 输出电流,栅极驱动光耦合器 2018-08-23
FOD8343 4.0A 输出电流,高速栅极驱动光耦合器 2018-08-23
SZMMBZ5232BLT1G 225mW,5.6V,±5%,齐纳稳压管 2018-08-23
SZBZX84C6V2LT1G 225mW,6.2V,±5%齐纳稳压管 2018-08-23
NSVMUN5314DW1T3G 互补双极数字晶体管 2018-08-23
NVGS4111PT1G 单P沟道功率MOSFET,-30V,-4.7A 2018-08-23
NOIP3SE5000A-QTI CMOS图像传感器,全局快门,530万像素 2018-08-23
NL17SG02DFT2G 单2输入或非门 2018-08-23
NCP135AMT040TBG 0.5A,0.4V输出低压差稳压器 2018-08-23
NCP135BMT040TBG 0.5A,0.4V输出低压差稳压器 2018-08-23
SZMMSZ5229BT1G 500mW齐纳二极管 2018-08-23
SZMMSZ5238BT1G 500mW齐纳二极管 2018-08-23
FFSP1265A 650V,12A,碳化硅肖特基二极管 2018-08-23
NCS333ASQ3T2G 5.5V,11mA,单运算放大器 2018-08-23
SZMM3Z33VT1G 200mW,33V齐纳稳压管 2018-08-23
SZMM3Z6V8T1G 225mW,6.8V,±5%齐纳稳压管 2018-08-23
NCP140AMXC330TCG 150mA,LDO稳压器,无电容,低噪声 2018-08-23
NCP163AFCT300T2G 250mA,超低噪声和高PSRR,LDO稳压器 2018-08-23
NCP163AFCT180T2G 250mA,超低噪声和高PSRR,LDO稳压器 2018-08-23
MC74AC86DR2G 四2输入异或门 2018-08-23
NRVB120ESFT1G 20V,1A,表贴式肖特基功率整流器 2018-08-23
NOIL2SM1300A-GDC 高速CMOS图像传感器 2018-07-31
NCP114AMX270TCG 2.7V,300mA,CMOS 低压差稳压器(LDO) 2018-06-13
NCP114ASN120T1G 1.2V,300mA,CMOS 低压差稳压器(LDO) 2018-06-13
FCP190N65S3R0 650V,190mΩ,17A,N沟道 SuperFET III MOSFET 2018-06-13
NTP082N65S3F 650V,82mΩ,40A,N沟道SuperFET III FRFET MOSFET 2018-06-13
SMMBT2369ALT1G 15V,200mA,NPN双极晶体管 2018-06-13
2SA1593T-TL-E -100V,-2A,低VCE(sat),PNP双极型晶体管 2018-06-13
NCS20092DMR2G 双路,350kHz,5.5V轨到轨输入/输出,运算放大器 2018-06-13
CPH6904-TL-E 25V,20~40mA,40mS N沟道JFET 2018-06-13
NTLUS3A18PZTCG -20V,18mΩ,-8.2A,单通道P沟道功率MOSFET 2018-06-13
FDP2710 250V,42.5mΩ,50A,N沟道 PowerTrench MOSFET 2018-06-13
CAV25320YE-GT3 32-Kb SPI串行CMOS EEPROM(汽车级) 2018-06-13
FAN53703UC48X 1.0A同步降压稳压器 2018-06-13
NCP110AFCT120T2G LDO稳压器,低VIN,低噪声和高PSRR,200mA 2018-06-13
NCP1239BD100R2G 用于带HV启动的反激式转换器的固定频率电流模式控制器 2018-06-13
2SC6097-TL-E 60V,3A,NPN低VCE(Sat)晶体管,60V,3A 2018-06-13
CAT24C08HU4I-GT3 8Kb,I2C串行EEPROM存储器 2018-06-13
MBRD340G 40V,3A,肖特基整流管 2018-06-13
NRVBD640CTT4G 40V,6A肖特基整流二极管 2018-06-13
NSVF3007SG3T1G 用于低噪声放大器的射频晶体管 2018-05-10
NCP308MT090TBG 可编程延迟时间,超低静态电流,电压监控器 2018-05-10
SZMM3Z13VT1G 300mW,13V,±5%,齐纳稳压二极管 2018-05-10
NCV2003SN2T1G 轨到轨输出,低电压,高压摆率,运算放大器 2018-05-10
UD1006FR-H 600V,10A,低VF型超快整流器 2018-05-10
SZ1SMB5931BT3G 18V,3.0W,齐纳稳压二极管 2018-05-10
FES6D 200V,6A,超快速整流器 2018-05-10
LE25U20AQGTXG 2Mb (256K x 8),串行Flash存储器 2018-05-10
NCP81276MNTXG 多相同步降压控制器 2018-05-10
SZMMSZ22T1G 500mW,22V,±5%齐纳稳压管 2018-05-10
SZMMSZ30T1G 500mW,30V,±5%齐纳稳压管 2018-05-10
SZMMSZ36T1G 500mW,36V,±5%齐纳稳压管 2018-05-10
NB100LVEP221MNRG 2.5V/3.3V,2:1:20差分,HSTL/ECL/PECL,时钟/数据扇出缓冲器 2018-05-04
NE592D8G 视频放大器 2018-05-04
NLV14175BDR2G 四路D型触发器 2018-05-04
MC78M08CDTRKG 三端中电流正固定电压稳压器 2018-04-28
NCP303LSN38T1G 带可编程延迟的电压检测器系列 2018-04-28
NSS40200UW6T1G PNP晶体管 2018-04-28
LMV331SQ3T2G 低压比较器 2018-04-28
CAT24C128YI-GT3 128Kb I2C CMOS串行EEPROM 2018-04-28
LV8711T-TLM-H PWM恒流控制步进电机驱动器 2018-04-28
NSR05F30NXT5G 30V,0.5A肖特基二极管 2018-04-28
NVR4501NT1G 20V,3.2A,80mΩ,单N沟道功率MOSFET 2018-04-28
NCP1124BP100G 离线SMPS的高压开关稳压器,100kHz,自动恢复 2018-04-28
NSPM1041BMUTBG 4.8V,125A,ESD保护二极管 2018-04-28
NSV1C200MZ4T1G 100V,2A,PNP型低VCE(sat)晶体管 2018-04-28
NTMFS4C028NT1G 30V,4.73mΩ,52A,单N沟道功率MOSFET 2018-04-28
NSP8814MUTAG 用于高速数据ESD和浪涌保护器件 2018-04-28
NCP431BCSNT1G 基准电压源,低阴极电流,可编程并联稳压器 2018-04-28
SZMMSZ5249BT1G 500mW齐纳二极管 2018-04-28
NCV2200SN1T1G 低电压互补型比较器 2018-04-28
NCV303LSN36T1G 具有可编程延迟的电压检测器 2018-04-28
NCV303LSN40T1G 具有可编程延迟N通道输出的电压检测器 2018-04-28
NUP2115LT1G 用于FlexRay收发器ESD保护 2018-04-28
NSS40300MZ4T1G 双极晶体管,40V/3.0A,低集电极与发射极电压,PNP晶体管 2018-04-28
NCV8161ASN300T1G 3V输出,450mA超低噪声,高 PSRR LDO 稳压器 2018-03-29
NCV8161ASN280T1G 2.8V输出,450mA超低噪声,高PSRR LDO稳压器 2018-03-29
NCP1602ACCSNT1G 增强轻载效率,功率因数控制器 2018-03-29
NLV17SZ14DFT2G 带施密特触发器输入的单路反相器 2018-03-29
NTMFS5C450NT1G 40V,3.3mΩ,102A,N沟道功率MOSFET 2018-03-29
NCV8161BSN280T1G 2.8V,450mA,用于射频和模拟电路的超低噪声和高PSRR LDO稳压器 2018-03-29
NLV17SZ17DFT2G 带施密特触发器输出的单路非反相缓冲器 2018-03-29
MMUN2231LT1G NPN双极数字晶体管 2018-03-29
NCP5501DT33G 3.3V固定输出,500mA,低压差稳压器带使能端 2018-03-29
NCV303LSN45T1G 4.5V电压检测器带可编程延迟 2018-03-29
MBRD640CTG 40V,6A,肖特基势垒整流器 2018-03-21
实时定位系统 (RTLS) 像用于智能建筑的许多技术一样,使用射频联接进行数据通信。它主要用于确定物体、资产甚至是人在一个定义区域内的位置。如果该区域也被绘制成地图,那就可以绘制和跟踪相对于其他物体的绝对位置......[详情]
大多数人认为电动车(EV)是一种新事物,但19世纪建造的首批汽车中有一些是电动汽。此后内燃机(ICE)汽车迅速占领了市场,而电动车在大多数情况下很快就被遗忘了。在20世纪70年代的石油危机期间,以及在20世纪90年......[详情]
无论是超市还是百货公司,货架和库存管理都是任何线下零售业务的核心。完美的零售货架可以增强商店的布局设计,并可以创造一个对顾客有诱惑力的环境。一个战略性规划的零售货架可以最大化顾客与展示的产品的联接,并......[详情]
人为错误是导致道路交通事故的主要原因。现代汽车配备了图像传感摄像头,可看到周围的环境,并帮助驾驶员做出及时的决定,以避免在极具挑战的道路/天气条件下发生车祸。车道保持、交通灯识别和预碰撞制动等安全功能......[详情]
前言 无刷直流电机(BLDC)设计很复杂。在大量的MOSFET、IGBT和门极驱动器产品组合中开始选择电子器件(旧的起点) 是茫然无助的。 安森美(onsemi)提供帮助,带来一个 "新的一阶近似值起点",提供与开关(N-F......[详情]
处处都要安全 随着时间的推移,汽车行业中安全攸关项目的数量呈指数级增长。根据2020 年威尔逊研究小组(Wilson Research Group)功能性验证研究,在目前开发的所有汽车安全攸关的设计项目中,超过 60% 的项目需要符合......[详情]
世界上消耗的大部分电力都供应给某种形式的AC-DC 电源单元(PSU),这意味着它们的能效在运行成本和影响环境的排放方面很重要。在最简单的层面上,能效是从电网汲取的功率与提供给负载的有用功率之比。但是,如果线路......[详情]
NCP1095接口控制器已获以太网联盟(Ethernet Alliance) 认证为以太网供电(PoE)认证计划的一部分,成为首批完全符合IEEE 802.3bt 90瓦标准的器件之一。 最近由以太网联盟宣布的第2代PoE认证计划旨在使可互操作的产品能......[详情]
对于许多小的、便携式物联网(IoT)应用,“圣杯”是无线联接使用的纽扣电池使用寿命达10年。这并非易事,因为大多数便宜的纽扣电池提供的最大容量仅约240 mAh。通过选择睡眠电流消耗低的无线电系统......[详情]
一个多世纪以来,车辆一直由内燃机(ICE)驱动。但您一定注意到了,随着电动车(EV)的推出,情况正在迅速发生变化。整个汽车行业和主流新闻媒体都在讨论这个话题。 当我们想到 EV 时,很多人会想到纯电池电动车 (BE......[详情]
电机在现代生活中无处不在,从气候控制、电器和商业制冷到汽车、工厂和基础设施。根据国际能源署(International Energy Agency)的数据,电机占全球总电力消耗的45%,因此电机驱动电子产品的可靠性和能效会对世界各......[详情]
近年来,照明已从由白炽灯或荧光灯组成的只能照亮空间的相对低技术领域迅速向不断增长的高科技市场发展。 照明领域的这场革命在很大程度上得益于有了低功耗的LED和高效、越趋智能的照明驱动器。 虽然许多人可能认为......[详情]
提供所需的功率水平以安全高效地实现更快的电动汽车(EV)充电和支持加速采用并非易事。基于硅的开关器件的进一步显著改进变得越来越具有挑战性,领先的半导体器件制造商如安森美半导体正采用新材料提供具有电动汽车快......[详情]
电动汽车(EV)变革在持续着。在交通史上它曾起步失误,但这次不会停下。这场变革将如何影响汽车交通是一个发展中的故事。随着技术和发电的进步,在不久的将来,许多车辆将有电动动力总成的选项或标准产品。 每天您都......[详情]
国际能源署(IEA)估计,电机功耗占世界总电力的45%以上。因此,找到最大化其运行能效的方法至关重要。能效更高的驱动装置可以更小,并且更靠近电机,从而减少长电缆带来的挑战。从整体成本和持续可靠性的角度来看,这......[详情]
太阳能发电正迅速成为解决电力难题的一个重要方案。大多数人都知道,过去10年来太阳能发电成本惊人地下降了82%。在太阳能选址(太阳能的位置)和共同土地使用(该地点的其他用途)方面的许多创新在增加太阳能发电的......[详情]
日趋严格的CO2排放标准以及不断变化的公众和企业意见在加速全球电动汽车(EV)的发展。这为车载充电器(OBC)带来在未来几年巨大的增长空间,根据最近的趋势,到2024年的复合年增长率(CAGR(TAM))估计将达到37.6%或更高。......[详情]
随着宽禁带技术不断渗透到传统和新兴的电力电子应用中,半导体厂商一直在以惊人的速度开发其产品系列。其中一些已发布了多代技术产品。安森美半导体凭借其经证实的碳化硅(SiC) MOSFET器件性能和对客户一流的支持,是......[详情]
如今的智能手机广告几乎都包含了手机背面摄像头的绚丽慢镜头。最新的智能手机机型上的摄像头已经成为创新的领先指标,也是厂商用来区别于竞争对手的一项功能。除了多镜头和图像传感器外,新的相机技术还提供了更高的......[详情]
采用超低功耗、事件触发的传感器和机器视觉方案,电池使用寿命以年来衡量,您可实现什么? 当今的物联网(IoT)应用比以往任何时候都更多样化。传感器众多,人工智能 (AI) 革命正在进行中,且新技术不断涌现。机器视......[详情]
我们可通过传感技术来获取有关周围环境的信息,从而使我们的日常生活受益:提高任务效率,增强安全性,或纯粹出于娱乐目的。LiDAR是这样一种传感技术,使用激光来测量到物体的距离,并可用于创建周围环境的3D模型。L......[详情]
如今,全球汽车行业看到在大多数汽车照明应用中使用LED照明的好处和价值。LED的高能效、使用寿命长、低辐射热、高可靠性和高流明密度等特性,使其成为一种很有吸引力的技术。安森美半导体的Strata赋能的汽车LED尾灯......[详情]
辅助电源单元在电池电动汽车(BEV)和混合动力电动汽车(HEV)的电源应用中无处不在,对于为控制、通信、安全、驱动等通常低于20 V的各种低压子系统供电至关重要,而且,电源本身的电源可能来自+400 V直流高压总线,如......[详情]
在电力系统设计中,提供电气隔离通常是必要的。保持高低压域电隔离,防止电流在它们之间流动,否则可能导致严重的安全问题。当然,隔离的域仍需要进行交互,让数据在它们之间传输。 尽管隔离很普遍,但是有效地实现......[详情]
对于许多过渡到在家工作的人来说,我们的家庭无线联接已成为我们工作和个人生活的关键。许多人都在期待即将发布的Wi-Fi 6E,它使用的是全球6 GHz频段的新的非授权频谱。美国、英国、韩国、巴西和欧盟等国家已经提......[详情]
在这科技时代,家庭中的联接设备数在近几年激增。消费者比以往任何时候都更关注物联网(IoT)设备,如家庭自动化、4K /高清视频流和在线游戏,这进而使通过互联网传输的数据量增加了三倍。因此,在选择您的下一个路由......[详情]
电力电子在当今世界无处不在:半导体的隐藏功能,可实现广泛应用,从家电和消费品到数据处理和无线网络,再到日趋电子化的汽车。电力电子系统以极高能效在交流和直流形式之间以及直流电压之间转换电力,从而使更多的......[详情]
LiDAR代表“光探测和测距”,是一种用于测量物体距传感设备的距离的技术。使用的原理与雷达(RADAR)非常相似,但使用LiDAR时,无线电波被光(通常是激光)代替。LiDAR系统发出的光束射到目标上,然......[详情]
物联网(IoT)在能源消耗方面正处于十字路口,有关传统能源是否能够支持其增长的问题也越来越多。因此,越来越多的制造商转向结合可替代能源与低功率联接,因具有巨大的市场潜力。 一种新方法是从运动和施加到像ON /......[详情]
用于开发电机控制方案的新生态系统,结合硬件、软件和功率模块,以实现快速开发 2020年11月10日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),推出先进而灵活的电机开......[详情]
该平台展示使用安森美半导体硅光电倍增管(SiPM)传感器专知的直接飞行时间激光雷达 2020年11月10日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),推出了由该公司硅光电倍......[详情]
成像技术用于众多门禁和安防应用,包括智能可视门铃和锁。为了防止安全威胁,现在使用3D技术来增强应用程序的面部识别能力。为简化智能门禁和智能视频方案的开发,安森美半导体与Ambarella和Lumentum合作开发了3D感......[详情]
电机是全球电力的主要使用者,约占工业用电量的三分之二。据国际能源署报告,电机约占全球总用电量的45%。因此,提高电机驱动系统的能效对工业和其他电力消费者的成本具有重大影响。一种提高能效的方法是从交流线路......[详情]
电动机的大功率驱动系统是工业自动化和机器人系统的关键组件,因为它们消耗的电能超过一半。这些驱动系统在实现节能方面具有核心作用。自动化的步伐不断加快,使电机驱动系统成为未来行业的核心。 在更大功率下提高......[详情]
就像最近十年智能手机的发展一样,其他不断增长的市场也要求缩小的外形尺寸以及更多的功能和便携性。细分无人机市场在迷你型和微型无人机呈现出增长。我们看到助听器或耳机市场的显著增长,提供语音识别、接近传感器......[详情]
与传统的点对点 (P2P) 蓝牙联接不同,蓝牙低功耗网状网络实现了多对多拓扑,并使用托管泛洪来发送数据。因此,它们不需要任何集中式路由或路由表如以太网。蓝牙低功耗网格规范还提供了内置的多层加密安全性,因此网......[详情]
随着网络规模的扩大,对电力的需求也大幅增加。以太网已经是技术生态系统的关键部分,新的以太网供电(PoE)通用标准(IEEE 802.bt)将通过提供高达90瓦(W)的功率,帮助实现一些新的应用。安森美半导体的PoE受电设备(P......[详情]
电源是任何电子系统的基石。众所周知,如果没有电源,电子系统就不起作用。特别是对于先进驾驶辅助系统(ADAS),电源的重要性更高,因为电源管理单元的任何故障都可能对乘客或行人的身体健康造成严重影响。因此,AD......[详情]
汽车照明仍是汽车最重要的部分之一,并且这一领域的创新仍在继续。汽车厂商现在正添加新的颜色和功能到传统照明系统,以提供增强的美学吸引力和定制性,并提高安全性。随着汽车行业向全自动驾驶汽车 (AV) 发展,照......[详情]
该平台提供最先进的效率 ( >95.5% ),包括 AEC-Q101 SiC 电源器件和用于两级交流充电的驱动器。该套件采用模块化设计,带有多块电路板,并配有可执行的数字控制软件和图形用户界面,有助于在 OBC 应用中,测试和......[详情]
BLE 蓝牙模块采用安森美半导体 RSL10 蓝牙 5.0 BLE 芯片,模块引出主要应用 IO,板载晶振及陶瓷天线,用户拿到模块即可进行开发。针对场景应用、开发透传、HID、电表、IBeacon、电动牙刷等固件,可根据客户需求进一......[详情]
PoE(Power Over Ethernet),是指通过 100BASE-TX、1000BASE-T 以太网网络供电。通过这种方式,可以有效的解决 IP 电话、无线 AP、便携设备充电器、刷卡机、摄像头、数据采集等终端的集中式电源供电,对于这些终端......[详情]
利用可穿戴技术可以把多媒体、传感器和无线通信等技术嵌入人们的衣着中,可支持手势和眼动操作等多种交互方式。 应用框图 推荐器件展开全部系统监控(3) NCP360MUTBG具有内部 PMOS FET 和状态标志位的 USB 正电压过......[详情]
辅助小册子
文件 修订日期
NCP3237 - 8A Integrated Synchronous Buck Regulator New Sep,2021
FAN251015,30,40 - Fixed Frequency 15A–40A Buck with PMBUS New Sep,2021
NCP45610 NCP45650 - ecoSWITCH Gen 3 New Sep,2021
NCD57090x Isolated Gate Driver Aug,2021
NCP1343 Quasi-Resonant Flyback Controller Aug,2021
NCP1680 Totem Pole CrM PFC Controller July,2021
NCL31000 NCL31001 - Intelligent LED Driver July,2021
NCS21802 - Precision Op-Amp June,2021
X-Celerator开发者套件用户指南 June,2021
全面解析快速直流充电 May,2021
NCV772x Half Bridge Driver May,2021
NCV75xx Multi-Channel MOSFET Pre-Driver May,2021
NCP4306 Secondary Side Synchronous Rectification Driver May,2021
FAN73912A 1200V High & Low Side Driver May,2021
MIPI-Switch-Overview-Q2FY21 May,2021
Power-and-Analog-Switch-Overview-Q2FY21 May,2021
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ON Semiconductor Solutions for High Voltage Drives Jan, 2021
Automotive Solutions Brochure Nov, 2020
Industrial Motor Drive Solutions Nov, 2020
Automotive Products Selector Guide Aug, 2020
Medical Solutions Brochure Aug, 2020
Industrial Solutions Brochure Apr, 2020
Corporate Profile Mar, 2020
Portable & Wearable Solutions Brochure Mar, 2020
Internet-of-Things Solutions Brochure Feb, 2020
Power Supply & Power Adapter Solutions Brochure Feb, 2020
LED照明方案 Jan, 2020
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