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NTMFS1D3N04XMT1G
厂商:
onsemi
库存件数:
120000
货期:
香港库存(7-10工作日)
数量:
×3.95 =
5925.00
产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
源漏极间雪崩电压VBR(V): | 40 |
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ): | 1.3 |
最大漏极电流Id(on)(A): | 195 |
通道极性: | N沟道 |
封装/温度(℃): | DFN-5/-55~175 |
描述: | 40V,1.3mΩ,195A,N沟道功率MOSFET |