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NTMTSC4D2N10GTXG
厂商：
onsemi
库存件数：
5551
货期：
现货
数量：
×63.04 =
63.04
产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
| 源漏极间雪崩电压VBR(V)： | 100 |
| 源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)： | 4.2 |
| 最大漏极电流Id(on)(A)： | 178 |
| 通道极性： | N沟道 |
| 封装/温度(℃)： | TDFNW-8/-55~175 |
| 描述： | 100V，4.2mΩ，178A，N沟道功率MOSFET |