碳化硅（SiC）功率开关器件正成为工业电池领域一种广受欢迎的选择，因其能够实现更快的开关速度和更优异的低损耗工作，从而在不妥协性能的前提下提高功率密度。此外，SiC还支持 IGBT技术无法实现的新型功率因数拓扑结构。

本白皮书回顾了多种功率拓扑结构，还提出了功率因数校正（PFC）级与初级功率级的SiC MOSFET选型方案，以及次级同步整流功率级的硅基MOSFET选型策略。最后介绍了安森美（onsemi）650V M3S EliteSiC MOSFET 的优势及其性能特点。

白皮书第一篇介绍了工业充电器简介、PFC 级选型，第二篇介绍了隔离式DC-DC功率级选择。本文将介绍优化拓扑结构与元器件选型。

优化拓扑结构与元器件选型

电池供电工具和设备的便利性在很大程度上依赖于快速高效的充电。 为此，电池充电解决方案的设计人员必须根据所需的功率水平和工作电压，精心选择最佳拓扑结构。 此外，他们还必须选择能够精准满足应用性能要求的元器件。

安森美提供覆盖低压、中压及高压的全系列功率分立器件，包括适用于上述关键拓扑的硅基二极管、MOSFET和IGBT。依托先进的裸芯与封装技术，安森美功率器件以卓越品质和稳健性能满足各类设计需求。

此外，我们基于SiC的开关器件具备更快的开关速度和超低损耗特性，可显著提升功率密度。 安森美 650 V M3S EliteSiC MOSFET（图 1）提供业界领先的开关性能，大幅提升 PFC 和 LLC 级的系统效率。

该器件针对 40 kHz 至 400 kHz 的高频应用进行了优化。EliteSiC M3S 技术相比其前代产品，栅极电荷减少了 50%，EOSS 降低了 44%，输出电容中的存储电荷（QOSS）减少了 44%。这种出色的EOSS参数在PFC级应用于硬开关拓扑时，可显著提升轻载条件下的系统效率。同时，较低的 QOSS还简化了 LLC 级软开关拓扑的谐振腔电感设计。 此外，M3S EliteSiC MOSFET在PFC和DC-DC模块高频运行时保持低温工作状态。

图 1. 650 V M3S EliteSiC MOSFET 是 PFC 和 LLC 级的理想选择

图 2. 安森美 650 V M3S EliteSiC MOSFET 产品系列

我们还提供基于 PLCES 的系统级 Elite Power 仿真工具，助力工程师根据不同的拓扑结构和功率水平优化元器件选型。该仿真工具不仅能协助选择适用于各种拓扑和功率水平的EliteSiC MOSFET。

还可深度洞察采用我们如下EliteSiC 系列产品的电路运行状况，Field Stop 7 (FS7) IGBT、PowerTrench®T10 MOSFET 和 Inteligent Power Modules (IPM)，包括特定产品的制造工艺极限情况。我们的仿真模型不仅基于数据手册中的典型参数，还提供了基于制造环境中物理相关性的极限工况仿真能力。这使用户能够了解器件在实验室工艺边界条件下的性能，从标称情况到最坏情况均可进行仿真。

此外，PLECS 模型自助生成工具（SSPMG）允许用户输入具有代表性的寄生元件，并生成自己的定制 PLECS 模型进行仿真。我们通过创新的SPICE模型实现了高精度的原型设计。

我们的物理和可扩展 SPICE 模型为仿真电力电子电路中功率器件的行为提供了一种准确而高效的方法，从而缩短了产品开发周期。我们最近对SSPMG进行了升级，并集成了Würth Elektronik的无源元件数据库，从而使用户能够为复杂的电力电子应用创建更加精确和详细的 PLECS 模型。 这一直观的基于网页的平台有助于在设计初期阶段及早发现并解决性能瓶颈问题。

图 3. 安森美Elite Power仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具