氮化镓（GaN）功率器件具有更低的导通电阻与更快的开关速度，可显著降低开关损耗，从而提升系统效率、缩小磁性元件体积，并增强系统可靠性，因此在市场上日益受欢迎。氮化镓器件率先在消费电子快充领域实现规模化应用，随后逐步向高功率密度场景渗透，涵盖数据中心电源、光伏逆变器、新能源汽车OBC（车载充电机）、智能感知、AC-DC及DC-DC转换器等领域，在各应用场景中均展现出显著的系统级性能优势。

随着规模化生产与供应链成熟，GaN器件的成本持续下降，与硅基器件之间的差距不断缩小，同时，凭借GaN器件所具有的双向导通特性，使其在手机快充、OVP（过压保护）应用领域带来系统性成本优势。在此背景下，华润微电子功率器件事业群（以下简称PDBG）基于成熟的8英寸GaN工艺平台，凭借完备的产业链资源保障，研发出40V双向OVP（过压保护）产品CRNCW048B040AZ/CRNCW048B040BZ。两款产品专为手机快充过压保护、穿戴设备等对电压应力敏感的场景提供更高响应速度与更低功耗的充电保护方案。

产品封装外形

小尺寸、高可靠性、低成本，三位一体提升产品力

CRNCW048B040AZ/CRNCW048B040BZ是两款支持双向导通的40V增强型氮化镓晶体管，产品采用WLCSP先进封装，最小封装尺寸仅2.1mm*2.1mm, 具有超小封装面积和低寄生参数，器件导通电阻典型值仅4mΩ（@VGD=5V），FOM≤17.6mΩ.mm²，更低的FOM值可在保证器件电参特性满足要求的前提下，具有更高的出芯率，提升产品性价比。综上，PDBG 40V低压双向E-mode GaN产品凭借“小尺寸、高可靠性、低成本”三位一体的核心优势，保障系统长期稳定运行，助力客户实现产品力的全面提升。

严苛考核认证，确保出货品质

CRNCW048B040AZ/CRNCW048B040BZ严格按照JEDEC/JESD47标准进行考核认证，保障产品能在高温、高湿等严苛工况下长期稳定运行。

采用IDM模式，打造安全可靠的供应链体系

依托IDM商业模式所具备的独特优势，PDBG实现了从外延材料制备、晶圆设计及制造到封装测试的全链条自主生产，可为客户提供长期稳定的产品供应。

CRNCW048B040AZ/CRNCW048B040BZ具有双向导通特性，单颗产品即可在手机充电线路中实现OVP充电保护功能，成功替代传统方案中的两颗背靠背连接的MOSFET。使用PDBG 40V低压双向E-mode GaN产品，可显著缩减PCB占用面积，降低系统成本，提升系统充电稳定性，这在“空间紧凑、效率优先”的场景中，展现出极强的方案优化能力和高性价比，有望成为未来的主流应用趋势。
• 缩容：减少50%功率器件数量，显著缩减PCB占用面积，为手机内部“寸土寸金”的空间设计释放更多余量，适配机身轻薄化趋势；
• 降本：通过减少器件数量与简化驱动电路设计，实现从硬件到设计成本的双重优化，正成为头部手机厂商下一代快充方案的优选方向。

在40V双向OVP细分领域，相较于行业同规格产品，CRNCW048B040AZ/CRNCW048B040BZ具有更低的Ron、更高的成本竞争力、更加稳定可靠的品质保障，助力客户降低硬件成本，提升产品性价比。