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HUF75639G3
暂无
厂商：
onsemi
库存件数：
11700
货期：
香港库存(7-10工作日)
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产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
| 源漏极间雪崩电压VBR(V)： | 100 |
| 源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)： | 25 |
| 最大漏极电流Id(on)(A)： | 56 |
| 通道极性： | N沟道 |
| 封装/温度(℃)： | TO-247-3/-55~175 |
| 描述： | 100V，25mΩ，56A，N沟道功率MOSFET |