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FCH041N60F
厂商：
onsemi
库存件数：
19350
货期：
香港库存(7-10工作日)
数量：
×91.80 =
41310.00
产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
| 源漏极间雪崩电压VBR(V)： | 600 |
| 源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)： | 41 |
| 最大漏极电流Id(on)(A)： | 76 |
| 通道极性： | N沟道 |
| 封装/温度(℃)： | TO-247-3/-55~150 |
| 描述： | 600V,41mΩ,76A,N沟道功率MOSFET |