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SIR626ADP-T1-RE3
厂商：
Vishay
库存件数：
1395000
货期：
香港库存(7-10工作日)
数量：
×5.22 =
15660.00
产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
| 源漏极间雪崩电压VBR(V)： | 60 |
| 源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)： | 1.75 |
| 最大漏极电流Id(on)(A)： | 165 |
| 通道极性： | N沟道 |
| 封装/温度(℃)： | PowerPAK SO-8/-55~150 |
| 描述： | 60V，1.75mΩ，165A，N沟道功率MOSFET |