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FQP6N80C
厂商：
onsemi
库存件数：
1900
货期：
现货
数量：
×20.83 =
20.83
产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
| 源漏极间雪崩电压VBR(V)： | 800 |
| 源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)： | 2500 |
| 最大漏极电流Id(on)(A)： | 5.5 |
| 通道极性： | N沟道 |
| 封装/温度(℃)： | TO-220-3/-55~150 |
| 描述： | 800V,5.5A,N沟道增强型功率MOSFET |