注:“老批次折让销售”产品可能已拆包,批次也可能比较老,如果对包装和批次有特别要求,下单前请咨询销售代表。因用户自身原因错订误订,售后将无法受理。
FDC2612
厂商:
onsemi
库存件数:
3000
货期:
现货
数量:
×5.15 =
5.15
产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
源漏极间雪崩电压VBR(V): | 200 |
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ): | 725 |
最大漏极电流Id(on)(A): | 1.1 |
通道极性: | N沟道 |
封装/温度(℃): | TSOT-23-6/-55~150 |
描述: | 200V,1.1A,725mΩ,N沟道PowerTrench MOSFET |