注：“老批次折让销售”产品可能已拆包，批次也可能比较老，如果对包装和批次有特别要求，下单前请咨询销售代表。因用户自身原因错订误订，售后将无法受理。
NTH4L022N120M3S
厂商：
onsemi
库存件数：
80100
货期：
香港库存(7-10工作日)
数量：
×122.76 =
55242.00
产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
| 源漏极间雪崩电压VBR(V)： | 1200 |
| 源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)： | 30@18V |
| 最大漏极电流Id(on)(A)： | 68 |
| 通道极性： | N沟道 |
| 封装/温度(℃)： | TO247-4L/-55~175 |
| 描述： | 1200V,22mΩ,68A,N 沟道 SiC 功率 MOSFET |