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FQD3P50TM
厂商：
onsemi
库存件数：
2500
货期：
香港库存(7-10工作日)
数量：
×5.43 =
13575.00
产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
| 源漏极间雪崩电压VBR(V)： | -500 |
| 源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)： | 4900 |
| 最大漏极电流Id(on)(A)： | -2.1 |
| 通道极性： | P沟道 |
| 封装/温度(℃)： | DPAK-3/-55~150 |
| 描述： | P沟道功率MOSFET，-500V，-2.1A，4.9Ω |