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TPS1100D
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25+
CNY 9.20
50+
CNY 8.60
100+
CNY 8.10
250+
CNY 7.83
500+
CNY 7.56
1000+
CNY 7.02
厂商： Texas Instruments
库存件数： 暂无
货期： 暂无
数量： 
- ＋
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  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

FET数：1
漏源电压(V)：-15
持续漏极电流最大值(A)：-1.6
静态漏源直流电阻典型值(mΩ)：180
通道极性：P沟道
封装/温度(℃)：SOIC-8/-40~85
描述：单路P沟道增强方式MOSFET
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