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NID6002NT4G
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厂商： onsemi
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产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：210
最大漏极电流Id(on)(A)：6.5
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：DPAK-3/-55~150
描述：65V,6.5A,带过温和过流保护,N沟道FET
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