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厂商名称:ON Semiconductor
主要产品:高能效电源管理、模拟、传感器、逻辑、时序、互通互联、分立、系统单芯片(SoC)及定制器件
官方网站:https://www.onsemi.cn
ON 产品搜索
安森美半导体 (ON Semiconductor) 致力于推动高能效电子的创新,使客户能够减少全球的能源使用。

安森美半导体领先于供应基于半导体的方案,提供全面的高能效电源管理、模拟、传感器、逻辑、时序、互通互联、分立、系统单芯片 (SoC) 及定制器件阵容。

公司的产品帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、医疗、航空及国防应用的独特设计挑战。

公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目,一套强有力的守法和道德规范计划,及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。

更多信息请访问 https://www.onsemi.cn
数据转换器
差分逻辑与时钟管理器件

 


产品图片 产品型号 描述 发布时间 购买
NCV7721D2R2G 具有并行输入控制的双路半桥驱动器 2020-09-24
NVMFS6H864NLT1G 80V,29mΩ,22A,单N沟道功率MOSFET 2020-09-24
NTP5D0N15MC 150V,5mΩ,139A,N沟道功率MOSFET 2020-09-14
ES3J 3A,600V,超快恢复整流器 2020-09-07
NCV8711ASNADJT1G LDO调节器,100mA,18V,带有PG ADJ 2020-08-31
NCL30486A2DR2G 智能调光CC/CV PSR控制器线路OVP,1%调光 2020-08-31
NTBG080N120SC1 1200V,110mΩ,30A,N沟道碳化硅MOSFET 2020-08-31
NTBLS4D0N15MC 150V,4.4mΩ,187A,N沟道功率MOSFET 2020-08-31
NTBS9D0N10MC 100V,9mΩ,60A,N沟道功率MOSFET 2020-08-31
FDPF44N25T 250V,44A,69mΩ,N沟道功率MOSFET 2020-08-31
NCV7723DQBR2G 6通道半桥驱动器 2020-08-31
NTBG080N120SC1 1200V,110mΩ,30A,N沟道碳化硅MOSFET 2020-08-31
FXMA2102UMX 双电源2位电压转换器/缓冲器/中继器隔离器 2020-08-24
NCP81172MNTXG 2相,带集成门驱动和PWM VID接口的同步降压控制器 2020-08-17
FUSB252UMX 高速数字 (HSD) 端口保护开关,带 C 型 CC 2020-08-17
FDMA905P 单P沟道功率MOSFET -12V,-10A,16mΩ 2020-08-17
NVMFS6H818NLT1G 80V,3.2mΩ,135A,单N沟道功率MOSFET 2020-08-17
NVMFS6H864NLT1G 80V,29mΩ,22A,单N沟道功率MOSFET 2020-08-17
NVMFD6H846NLT1G 80V,15mΩ,31A,双N沟道功率MOSFET 2020-08-17
NTP360N80S3Z 800V,360mΩ,13A,N沟道功率MOSFET 2020-08-17
NTTFS1D8N02P1E 25V,1.3mΩ,150A,单N沟道功率MOSFET 2020-08-17
NCN5130ASGEVB NCN5130 KNX Arduino屏蔽兼容评估板 2020-08-10
NVBG160N120SC1 1200V,224mΩ,19.5A,N沟道碳化硅MOSFET 2020-08-10
NVTFS014P04M8LTAG 13.8mΩ,-40V,-49A,单P沟道功率MOSFET 2020-07-31
FAN7842MX 225V,0.65/0.35A,灌/源电流,高低栅极驱动器 2020-07-31
FAN53555UC04X 5A,2.4MHz,数字可编程TinyBuck稳压器 2020-07-31
MBR0530 0.5A,30V,肖特基功率整流器 2020-07-28
MM3Z12VB 12.0V,200mW,2%,齐纳二极管 2020-07-28
FODM1008R2 光电晶体管光耦 2020-07-28
FOD8163R2 3.3V/5V,扩展型逻辑门光电耦合器 2020-07-28
MMBFJ202 N通道通用放大器 2020-07-28
FODM1009R2 单通道,DC感应输入,光电晶体管光电耦合器 2020-07-28
LM431SCCM32X 2.5V,±0.5%容差,可调式分流稳压器 2020-07-17
S100 1A肖特基势垒整流器 2020-07-17
DF08S 1.5A桥式整流器 2020-07-17
FAN7930CMX-G 功率因数控制器(PFC),CrCM,PFC就绪信号 2020-07-17
NVTFS5C478NLTAG 40V,26A,14mΩ,单N沟道功率MOSFET 2020-07-17
J175-D26Z P通道开关 2020-07-17
SZMMSZ4679T1G 2V低电流齐纳二极管稳压器 2020-07-06
NCV8114ASN250T1G LDO稳压器,300mA,2.5V AD 2020-07-06
NTMFS5H431NLT1G 40V,106A,3.3mΩ,单N沟道功率MOSFET 2020-06-23
NVTFS4C10NTAG 30V,47A,7.4mΩ,单N沟道功率MOSFET 2020-06-23
ESD7462N2T5G 超低电容ESD保护二极管 2020-06-10
S1DFL 200V,1A表面通用整流器 2020-06-10
NCV78763DQ9R2G 双LED驱动器和电源镇流器 2020-06-10
BC858CMTF 310mW,PNP外延硅晶体管 2020-05-28
FDG8842CZ N和P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 2020-05-28
ESD7351XV2T1G 3.3V,150mW,ESD保护二极管 2020-05-28
NRVTS2H60ESFT1G 基于极低正向电压沟道的肖特基整流器 2020-05-28
NBA3N5573MNTXG PCIe时钟发生器,汽车级,双输出,3.3V 2020-05-28
NVMFD5C650NLT1G 60V,111A,4.2mΩ,双N沟道功率MOSFET 2020-05-28
MM3Z10VB 10V,200mW,2%齐纳二极管 2020-05-28
1N4740ATR 齐纳二极管,10V 1W 5% 2020-05-28
NCV-RSL10-101Q48-AVG 无线电SoC 2020-05-28
FUSB307BVMPX USB Type-C 端口控制器,带 USB-PD 2020-05-28
MC74HC164BDR2G 8位串行输入/并行输出移位寄存器 2020-05-21
NLV14541BDTR2G 可编程数字计数器 2020-05-21
NLV74HC164ADR2G 8位串入并出移位寄存器 2020-05-21
NLV74HC164ADTR2G 8位串入并出移位寄存器 2020-05-21
TL331VSN4T3G 比较器,单通道,开集极,低功耗,宽电源范围 2020-05-21
NLSV2T244DMR2G 2位双电源同相电平转换器 2020-05-21
NLV9306USG 双向I2C总线和SMBus电压电平转换器 2020-05-21
NLVSV1T34DFT2G 1位双源非反相电平转换器 2020-05-21
CAT24C512HU5IGT3 512K,I2C串行存储器 2020-05-21
CAT24M01YI-GT3 1Mb,I2C串行EEPROM 2020-05-21
CAT25M01YI-GT3 1Mb,SPI串行CMOS EEPROM 2020-05-21
CAV24C128WE-GT3 128Kb,I2C串行EEPROM存储器 2020-05-21
CAV24C32YE-GT3 32Kb,I2C CMOS串行EEPROM 2020-05-21
CAV24C512WE-GT3 汽车级512KbEEPROM串行I2C 2020-05-21
CAV25512VE-GT3 512-Kb SPI汽车级串行EEPROM 2020-05-21
CAV25M01VE-GT3 1Mb,SPI汽车级EEPROM串行 2020-05-21
CAV93C76VE-GT3 汽车级8Kb微线串行EEPROM 2020-05-21
NV25256MUW3VTBG 256K位,SPI串行EEPROM 2020-05-21
NLV27WZ17DFT2G 汽车级双路反相器 2020-01-07
NLV74AC14DR2G 带施密特触发器输入的六角反相器 2020-01-07
NLV74HC14ADTR2G 施密特触发入六角反相器 2020-01-07
NLV74HCT14ADR2G 六角反相器 2020-01-07
NLVHCT244ADTR2G 八路3态非反相缓冲器 2020-01-07
NLV74VHCT08ADTR2G 四路2输入与门 2020-01-07
NLVVHC1G132DFT1G 具有施密特触发器输入的单路2输入与非门 2020-01-07
NLX1G97MUTCG 可配置功逻辑门 2020-01-07
MC100EP52DR2G ECL,差分D触发器 2020-01-07
MC74HC74ADG 双D触发器,带置位和复位端 2020-01-07
NLV14521BDR2G 24级分频器 2020-01-07
MC74HCT125ADTR2G 具有LSTTL兼容输入的四路同相三态缓冲器 2020-01-07
MC74VHC50DR2G 六缓冲器 2020-01-07
FDME1024NZT 20V,3.8A,66mΩ,双N沟道功率Trench MOSFET 2020-01-07
MMBT100 NPN通用放大器 2020-01-07
FQB34P10TM 100V 33.5A D2PAK P沟道MOSFET 2020-01-07
FCP125N65S3R0 650V,24A,125mΩ,N通道功率MOSFET 2020-01-07
1N4448WS 小信号二极管 2020-01-07
MC78L05ACHT1G 100mA,5V,输出三端正电压稳压器 2020-01-07
NTSAF545T3G 沟槽肖特基整流器,低正向电压,45V,5A 2020-01-07
FGA40N65SMD 650V,40A,场截止沟槽IGBT 2020-01-07
NSVR0240HT1G 40V,0.25A低IR肖特基二极管 2020-01-07
NVJD5121NT1G 60V,295mA,1.6Ω,双N沟道功率MOSFET,带ESD保护 2020-01-07
NVC3S5A51PLZT1G -60V,-1.8A,250mΩ,P沟道功率MOSFET 2020-01-07
FJP13009H2TU 高压快速开关NPN功率晶体管 2020-01-07
AFGB40T65SQDN 650V,40A IGBT 2019-12-26
FGH25N120FTDS 1200V,25A,场截止沟道IGBT 2019-12-26
FGH75T65UPD-F085 650V,75A,1.69V,场截止沟槽IGBT 2019-12-26
FGY60T120SQDN IGBT,超场停止-1200V,60A 2019-12-26
NRVHP820MFDT1G 200V,超快恢复双模整流器 2019-12-26
NRVHPRS1AFA 0.8A,50V,表面贴装快速恢复整流器 2019-12-26
NRVHPRS1GFA 0.8A,400V,表面贴装快速恢复二极管 2019-12-26
NRVUS110VT3G 1A,100V,超快恢复功率整流器 2019-12-26
FFPF08H60STU 8A,600V,超高速II代二极管 2019-12-26
NRVUHS160VT3G 600V,1A超快速整流器 2019-12-26
NRVUS360VDBT3G 600V,3A,表面贴装超快速电源整流器 2019-12-26
RHRG75120 75A,1200V,超高速二极管 2019-12-26
RHRP30120 30A,1200V,超快速二极管 2019-12-26
SURS8320T3G 200V,3A超快恢复功率整流器 2019-12-26
NRVHP8H200MFDT1G 开关模式功率整流器 2019-12-26
FFSB2065B-F085 650V,20A,汽车碳化硅(SiC)肖特基二极管 2019-12-26
FFSD0465A 650V,4A,碳化硅肖特基二极管 2019-12-26
FFSH40120ADN-F085 碳化硅肖特基二极管 2019-12-26
FFSM0865A 650V,8A,碳化硅二极管 2019-12-26
FFSPF0865A 650V,8A,碳化硅(SiC)肖特基二极管 2019-12-26
FFSPF1065A 650V,10A,碳化硅肖特基二极管 2019-12-26
MBR0530T3G 肖特基功率整流管,SM,0.5A,30V 2019-12-26
NRVB1240MFST1G 12A,40V肖特基二极管 2019-12-26
NRVB440MFSWFT1G 4A,40V,肖特基功率整流器,开关模式 2019-12-26
NRVB860MFST1G 8A,60V,肖特基二极管 2019-12-26
NRVBA160T3G 60V,1A,表贴式肖特基功率整流器 2019-12-26
NRVTS12120MFST1G 12A,120V,沟槽低VF肖特基整流器 2019-12-26
NTS1045EMFST1G 10A,45V,极低漏电沟槽肖特基整流器 2019-12-26
ESD8004MUTAG ESD保护阵列,USB 3.0 2019-12-26
ESDM3051N2T5G ESD保护二极管,5V 2019-12-26
PACDN006MR ESD保护阵列 2019-12-26
SZESD7104MUTAG ESD保护二极管,低电容,高速数据 2019-12-26
SZESD9B3.3ST5G 双向ESD保护二极管 2019-12-26
FDH055N15A 150V,167A,5.9mΩ,N沟道PowerTrench MOSFET 2019-12-10
FDMC010N08C 80V,51A,10mΩ,N通道屏蔽栅极功率MOSFET 2019-12-10
FDMD8560L 60V,22A,3.2mΩ,双N沟道功率Trench MOSFET 2019-12-10
FDMS0300S 30V,49A,1.8mΩ,N沟道MOSFET 2019-12-10
FDMS3620S 25V,非对称双N沟道功率MOSFET 2019-12-10
FDMS3626S 25V,非对称双N沟道功率级MOSFET 2019-12-10
FDMS3D5N08LC 80V,136A,3.5mΩ,单N通道功率MOSFET 2019-12-10
FDMS8090 100V,40A,13mΩ对称双N沟道功率MOSFET 2019-12-10
FDP085N10A-F102 100V,96A,8.5mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-12-10
FDPF20N50 500V,20A,230mΩ,N通道功率MOSFET 2019-12-10
FDPF20N50FT 500V,20A,260mΩ,N通道功率MOSFET 2019-12-10
FDPF4D5N10C 100V, 128A,4.5mΩ,N通道PowerMOSFET 2019-12-10
FDPF8D5N10C 100V,76A,8.5mΩ,N沟道屏蔽栅极功率MOSFET 2019-12-10
FDS8949 40V,6A,29mΩ,双N沟道功率MOSFET 2019-12-10
FDS8978 30V,7.5A,18mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-12-10
FDU5N50NZTU 500V,4A,1.5Ω,N通道功率MOSFET 2019-12-10
FDU5N60NZTU 600V,4A,2Ω,N通道功率MOSFET 2019-12-10
FQB9N50CTM 500V,9A,800mΩ,N通道功率MOSFET 2019-12-10
FQL40N50 500V,40A,110mΩ,N通道功率MOSFET 2019-12-10
FQP7N80C 800V,6.6A,1.9Ω,N沟道功率QFET MOSFET 2019-12-10
FQP9N50C 500V,9A,800mΩ,N通道功率MOSFET 2019-12-10
NTB110N65S3HF 650V,30A,110mΩ,N沟道SUPERFET III MOSFET 2019-12-10
NTHL033N65S3HF 650V,70A,33mΩ,N通道功率MOSFET 2019-12-10
NTMFS4C025NT1G 30V,69A,3.41mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-12-10
NTMFS5C442NLTT3G 40V,130A,2.5mΩ,单N沟道功率MOSFET 2019-12-10
NTMFS5H630NLT1G 60V,120A,3.1mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-12-10
NTMFS6B03NT3G 100V,132A,4.8mΩ,单N沟道功率MOSFET 2019-12-10
NTPF082N65S3F 650V,40A,82mΩ,N通道功率MOSFET 2019-12-10
NTTFS4C05NTWG 30V,75A,3.6mΩ单N沟道功率MOSFET 2019-12-10
NTTFS4C08NTAG 30V,52A,5.9mΩ,单N沟道功率MOSFET 2019-12-10
NTTFS4C13NTAG 30V,38A,9.4mΩ,单N沟道功率MOSFET 2019-12-10
NTTFS5C453NLTWG 40V,107A,3mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-12-10
NTTFS6H850NTAG 80V,68A,9.5mΩ,单N沟道功率MOSFET 2019-12-10
NVD3055L170T4G 60V,9A,170mΩ,N沟道逻辑电平功率MOSFET 2019-12-10
NVD5C648NLT4G 60V,89A,4.1mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-12-10
NVD6416ANLT4G-VF01 100V,19A,74mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-12-10
NVHL027N65S3F 650V,65A,27.4mΩ,单N沟道功率MOSFET 2019-12-10
NVHL040N65S3F 650V,65A,40mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-12-10
NVHL080N120SC1 1200V,44A,80mΩ,N沟道碳化硅MOSFET 2019-12-10
NVMFS4C310NT1G 30V,51A,6mΩ,单N通道功率MOSFET 2019-12-10
NVMFS5C426NWFAFT1G 40V,235A,1.3mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-12-10
NVMFS5C460NLAFT1G 40V,78A,4.5mΩ,单N沟道功率MOSFET 2019-12-10
NVMFS5C468NLAFT1G 40V,37A,10.3mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-12-10
NVMFS5C638NLWFT1G 60V,133A,3mΩ,N沟道MOSFET 2019-12-10
NVMFS6H818NT1G 80V,123A,3.7mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-12-10
NVMFS6H852NT1G 80V,43A,14.2mΩ,单N沟道功率MOSFET 2019-12-10
NVTFS5C680NLWFTAG 60V,20A,26.5mΩ,单N沟道功率MOSFET 2019-12-10
NVTFS6H850NTAG 80V,68A,9.5mΩ,单N沟道功率MOSFET 2019-12-10
NVTFS6H850NWFTAG 80V,68A,9.5mΩ,单N沟道功率MOSFET 2019-12-10
1N5386BRLG 5W,齐纳二极管 2019-12-10
SZ1SMA5936BT3G 30V,1.5W齐纳稳压管 2019-12-10
SZBZX84C6V8LT1G 6.8V,225mW, ±5%齐纳二极管稳压器 2019-12-10
SZMM3Z16VST1G 16V齐纳二极管电压稳压器 2019-12-10
SZMM3Z43VT1G 300mW,43V,±5%齐纳稳压管 2019-12-10
SZMM5Z2V4T5G 500mW标准容差齐纳二极管稳压器 2019-12-10
SZMMBZ5234BLT1G 225mW 5%齐纳稳压管6.2V 2019-12-10
SZMMSZ5230BT1G 500mW,齐纳二极管 2019-12-10
SZMMSZ5237BT1G 500mW,齐纳二极管 2019-12-10
SZMMSZ5V6T1G 500mW,5.6V,±5%齐纳稳压管 2019-12-10
FCA20N60 600V,20A,190mΩ,N通道功率MOSFET 2019-11-21
FDS9958 -60V,-2.9A,105mΩ,双P沟道MOSFET 2019-11-21
NDS9407 -60V,-3A,150mΩ,单P沟道功率MOSFET 2019-11-21
NVATS5A113PLZT4G -60V,-38A,29.5mΩ,P沟道功率MOSFET 2019-11-21
NVATS68301PZT4G -100V,-31A,75mΩ,P沟道功率MOSFET 2019-11-21
CPH6445-TL-W 60V,3.5A,117mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-11-21
FDBL0240N100 100V,210A,2.8mΩ,N沟道功率Trench MOSFET 2019-11-21
FDC8886 30V,6.5A,23mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-11-21
FDD10AN06A0 60V,50A,10.5mΩ,N沟道功率Trench MOSFET 2019-11-21
FDD5810-F085 60V,36A,27mΩ,N沟道逻辑电平Trench MOSFET 2019-11-21
FDD8445 40V,50A,8.7mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-11-21
FDI038AN06A0 60V,80A,3.8mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-11-21
FDL100N50F 500V,100A,55mΩ,N沟道UniFETTM MOSFET 2019-11-21
AP0202AT2L00XPGA0-DR 图像信号处理器 2019-11-21
AR0132AT6C00XPEA0-DRBR 1.2MP,图像传感器 2019-11-21
AR0144CSSC00SUKA0-CRBR1 CMOS图像传感器 2019-11-21
AR0144CSSC20SUKA0-CRBR1 图像传感器 2019-11-21
AR0144CSSM00SUKA0-CRBR1 1MP图像传感器 2019-11-21
AR0220AT3B00XUEA0-DPBR CMOS图像传感器 2019-11-21
AR0220AT3C00XUEA0-DPBR 1.7MP图像传感器 2019-11-21
AR0331SRSC00XUEE0-DRBR1 CMOS图像传感器 2019-11-21
MT9J003I12STMV-DP 10MP,1CMOS图像传感器 2019-11-21
NOIP1FN0300A-QTI CMOS图像传感器,0.3MP,全局快门 2019-11-21
FCB36N60NTM 600V,36A,90mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-11-01
FCD360N65S3R0 650V,10A,360mΩ,N通道功率MOSFET 2019-11-01
FCD850N80Z 800V,6A,850mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-11-01
FCH077N65F-F155 650 V,54 A,77mΩ,N通道功率MOSFET 2019-11-01
FCH190N65F-F155 650V,20.6A,190mΩ,N通道功率MOSFET 2019-11-01
FCH47N60F-F133 600V,47A,73mΩ,N通道功率MOSFET 2019-11-01
FCH47N60NF 600V,45.8A,65mΩ,N通道功率MOSFET 2019-11-01
FCP22N60N 600V,22A,165mΩ,N沟道SupreMOS MOSFET 2019-11-01
FCP36N60N 600V,36A,90mΩ,N沟道SupreMOS MOSFET 2019-11-01
FCPF165N65S3R0L 650V,19A,165mΩ,N沟道SUPERFET III MOSFET 2019-11-01
FCPF190N60E 600V,20.6A,190mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-11-01
FCPF190N65S3R0L 650V,17A,190mΩ,N沟道SUPERFET III MOSFET 2019-11-01
FCPF20N60 600V,190mΩ,20A,N通道功率MOSFET 2019-11-01
FCPF250N65S3L1 650V,12A,250mΩ,N通道功率MOSFET 2019-11-01
FCPF400N80Z 800V,14A,400mΩ,N沟道SUPERFET II MOSFET 2019-11-01
FCU850N80Z 800V,6A,850mΩ,N通道功率MOSFET 2019-11-01
FDA032N08 235A,75V,3.2mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-11-01
MB10S 0.5A,整流桥 2019-11-01
74LVC06ADR2G 具有漏极开路输出和5V容差低压六路反向器 2019-11-01
NC7SZ32L6X 2输入或门 2019-11-01
FAN3852UC16X 具有数字输出的麦克风前置放大器 2019-11-01
2SA2039-E -50V,-5A,低VCE(sat),PNP双极晶体管 2019-10-10
BC849BLT1G 30V,100mA,NPN双极晶体管 2019-10-10
NSV60601MZ4T3G 60V,6A,NPN低饱和电压晶体管 2019-10-10
CPH5524-TL-E PNP/NPN互补低VCE(Sat)晶体管,(-)50V,(-)6A 2019-10-10
NSV1C201LT1G 100V,2A,NPN低VCE(sat)双极晶体管 2019-10-10
NSV60600MZ4T3G -60V,-6A,PNP低饱和电压晶体管 2019-10-10
NSS1C300ET4G 3A,100V低VCE(sat)PNP晶体管 2019-10-10
NSVF5488SKT3G 用于低噪声放大器的RF晶体管 2019-10-10
GBPC3508 35A,桥式整流器 2019-10-10
2SK3557-7-TB-E 15V,10~32mA,N沟道JFET 2019-10-10
SMMBFJ177LT1G P沟道JFET晶体管 2019-10-10
FDD86250 150V,51A,22mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-10-10
SZMMBZ5226BLT1G 225mW,3.3V,±5%齐纳稳压管 2019-10-10
KSA1220AYS PNP外延硅晶体管 2019-10-10
SZMMSZ4705T1G 18V,齐纳稳压管 2019-09-19
SZMMSZ5233BT1G 500mW,齐纳二极管 2019-09-19
SURA8260T3G 600V,2A超快恢复功率整流器 2019-09-19
NRVHP620MFDT1G 6A,200V超快双模整流器 2019-09-19
S1MFL 表面通用整流器 2019-09-19
NRVS3KB 3A,800V表面贴装整流器 2019-09-19
SBAS21DW5T1G 250V高压开关二极管 2019-09-19
NSVBAS20LT3G 200V开关二极管 2019-09-19
SZSM05T1G 5V,双路共阳二极管TVS带ESD保护 2019-09-19
ESD5581N2T5G 5V,10pF,ESD双向保护二极管 2019-09-19
ESD7410N2T5G 超低电容ESD保护 2019-09-19
SRV05-4MR6T1G 具有低钳位电压的ESD保护二极管 2019-09-19
SZESD7016MUTAG USB 3.0,低电容,ESD保护二极管 2019-09-19
ESDU3121MXT5G 12V单向ESD保护器件 2019-09-19
ESD8704MUTAG 单向高速数据线保护 2019-09-19
MUN5213DW1T3G 双路NPN双极数字晶体管 2019-09-19
NSBA124EDXV6T1G 50V双极数字晶体管(BRT) 2019-09-19
NSVMMUN2233LT3G NPN双极数字晶体管(BRT) 2019-09-19
NCP1117DT18T5G 1A,1.8V低压差稳压器 2019-09-19
NRVTSA3100ET3G 低正向电压,低漏电沟槽肖特基整流器 2019-09-03
NRVTSAF360T3G 60V,3A,低正向沟槽肖特基整流器 2019-09-03
NSVR201MXT5G 用于混频器和探测器的肖特基势垒二极管 2019-09-03
NSVR351SDSA3T1G 用于混频器和探测器的肖特基势垒二极管 2019-09-03
NTSAF345T3G 45V,3A,沟槽肖特基整流器,低正向电压 2019-09-03
NTSB40100CTT4G 40A,100V,双通道肖特基功率整流器 2019-09-03
SBAS40-04LT1G 40V,双路肖特基二极管 2019-09-03
SBRA8160T3G 60V,1A肖特基整流二极管 2019-09-03
SBRD81045T4G 45V,10A开关模式肖特基功率整流器 2019-09-03
SBR80520LT1G 20V,0.5A肖特基功率整流器 2019-09-03
NRVBB4030T4G 30V,40A肖特基整流二极管 2019-09-03
NRVBAF260T3G 60V,2A低VF肖特基整流器 2019-09-03
1SMF5920BT1G 6.2V,齐纳二极管 2019-09-03
MM3Z75VB 75V,200mW,2%,齐纳管 2019-09-03
SZ1SMB5918BT3G 5.1V,3.0W,齐纳稳压管 2019-09-03
SZ1SMB5922BT3G 7.5V,3.0W,齐纳稳压管 2019-09-03
SZBZX84B18LT1G 250mW,18V,±2%,齐纳二极管电压调节器 2019-09-03
SZBZX84B5V6LT1G 225mW,5.6V,±2%齐纳稳压管 2019-09-03
SZBZX84C13ET1G 225W,13V,齐纳二极管 2019-09-03
SZMM3Z22VT1G 300mW,22V,±5%,齐纳二极管电压调节器 2019-09-03
SZMM3Z4V7T1G 300mW,4.7V,±5%,齐纳稳压管 2019-09-03
SZMM5Z5V1ST1G 500mW,5.1V,±2%,齐纳稳压二极管 2019-09-03
SZMM5Z5V6ST1G 500mW,5.6V,±2%,齐纳稳压管 2019-09-03
SZMMBZ15VAWT1G 40W,15V,齐纳保护二极管 2019-09-03
SZMMSZ27T1G 500mW,27V,±5%,齐纳稳压管 2019-09-03
SZMMSZ4694T1G 8.2V,齐纳稳压管 2019-09-03
SZMMSZ4704T1G 17V低电流齐纳二极管电压稳压器 2019-09-03
FIN1002M5X 3.3V LVDS 1位高速差分接收器 2019-09-03
BC550CTA 500mW,NPN外延硅晶体管 2019-09-03
MICROFC-60035-SMT-TR 硅光电倍增管传感器 2019-09-03
FAN7888MX 225V,0.65/0.35A灌/源电流,3相半桥栅极驱动 2019-09-03
FDN537N 30V,6.5A,23mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-09-03
FFA60UP30DNTU 60A,300V,超快速双二极管 2019-09-03
ISL9R3060G2 30A,600V,STEALTH二极管 2019-09-03
MURA205T3G 50V,2A超快恢复功率整流器 2019-09-03
NRVUD340T4G 400V,3A超快开关模式功率整流器 2019-09-03
NRVUS360VBT3G 600V,3A,超快速整流器 2019-09-03
AFGHL40T65SPD 650V,40A,IGBT 2019-08-16
FGA15N120ANTDTU-F109 1200V,15A,NPT沟道IGBT 2019-08-16
FGA25N120ANTDTU 1200V,25A,NPT沟道IGBT 2019-08-16
FGA50T65SHD 650V,50A,场截止沟道IGBT 2019-08-16
FGH40N60SFDTU 600V,40A,N沟道场截止IGBT 2019-08-16
FGH60N60SFDTU 600V,60A,场截止沟道IGBT 2019-08-16
FGH60T65SQD-F155 650V,60A,场截止沟槽IGBT 2019-08-16
FGH75T65SQDNL4 650V,75A,隔离门双极晶体管(IGBT),场截止型 2019-08-16
FGH75T65UPD 650V,75A,场截止沟槽IGBT 2019-08-16
FGL40N120ANTU 1200V,40A,NPT IGBT 2019-08-16
FGL60N100BNTDTU 1000V,60A,NPT沟道IGBT 2019-08-16
FGPF15N60UNDF 600V,15A,IGBT 2019-08-16
HGTG30N60B3D 600V,30A,PT 绝缘门双极晶体管IGBT 2019-08-16
SGH40N60UFDTU 600V,20A,PT IGBT 2019-08-16
HGTG20N60B3 600V, 20A,PT IGBT 2019-08-16
FFSB0665A 650V,6A,碳化硅肖特基二极管 2019-08-16
FFSB0865A -650V ,8A ,碳化硅(SiC)肖特基二极管 2019-08-16
FFSB1065A -650V,10A,碳化硅(SIC)肖特基二极管 2019-08-16
FFSB1265A -650V,12A,碳化硅肖特基二极管, 2019-08-16
FFSB3065B-F085 650V,30A,汽车碳化硅(SiC)肖特基二极管 2019-08-16
FFSD0665A -650V,6A,碳化硅肖特基二极管 2019-08-16
FFSD0865A -650V,8A,碳化硅肖特基二极管 2019-08-16
FFSH10120A 1200V,10A,碳化硅肖特基二极管 2019-08-16
FFSH10120A-F085 1200V,10A,碳化硅肖特基二极管 2019-08-16
FFSH15120A 1200V,15A,碳化硅肖特基二极管 2019-08-16
FFSH1665A -650V,16A,碳化硅肖特基二极管 2019-08-16
FFSH1665ADN-F155 650V,16A,碳化硅肖特基二极管, 2019-08-16
FFSH20120A-F085 1200V,20A,碳化硅肖特基二极管 2019-08-16
FFSH2065A 20A,-650V,碳化硅二极管 2019-08-16
FFSH30120A 1200V,30A,碳化硅肖特基二极管 2019-08-16
FFSH3065A 30A,-650V,碳化硅二极管 2019-08-16
FFSH3065ADN-F155 650V,30A,碳化硅肖特基二极管 2019-08-16
FFSH3065B-F085 650V,30A,汽车级碳化硅(SiC)肖特基二极管 2019-08-16
FFSH40120A 1200V,40A,碳化硅肖特基二极管 2019-08-16
FFSH4065A 650V,40A,碳化硅肖特基二极管 2019-08-16
FFSH4065ADN-F155 650V,40A,碳化硅肖特基二极管 2019-08-16
FFSH50120A 1200V,50A,碳化硅二极管 2019-08-16
FFSP2065A -650V,20A,碳化硅肖特基二极管 2019-08-16
FFSPF0665A -650V,6A,碳化硅肖特基二极管 2019-08-16
FYPF2010DNTU 肖特基势垒整流器 2019-08-16
NRVB8H100MFST1G 8A,100V,肖特基二极管 2019-08-16
NRVBA1H100T3G 100V,1A,表贴式肖特基功率整流器 2019-08-16
NRVBAF440T3G 4.0A,40V,肖特基整流器 2019-08-16
FDP8D5N10C 100V,76A,8.5mΩ,N通道功率MOSFET 2019-07-22
FDPF045N10A 100V,67A,4.5mΩ,N沟道功率Trench MOSFET 2019-07-22
FDPF085N10A 100V,40A,8.5mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-07-22
FDPF190N15A 150V,27.4A,19mΩ,N沟道功率Trench MOSFET 2019-07-22
FDS3992 100V,4.5A,62mΩ,双N沟道功率MOSFET 2019-07-22
FDS6898AZ-F085 20V,9.4A,10mΩ,逻辑电平双N沟道功率MOSFET 2019-07-22
FDS86252 150V,4.5A,55mΩ,N沟道功率Trench MOSFET 2019-07-22
FDS8817NZ 30V,15A,7mΩ,N沟道PowerTrench MOSFET 2019-07-22
FDV303N 25V,0.68A,0.45Ω,数字FET,N沟道MOSFET 2019-07-22
FQA13N80-F109 800V,12.6A,750mΩ,N沟道 QFET MOSFET 2019-07-22
FQA24N50 500V,24A,200mΩ,N沟道QFET MOSFET 2019-07-22
FQA38N30 300V,38.4A,85mΩ,N沟道QFET MOSFET 2019-07-22
FQA40N25 250V,40A,70mΩ,N沟道QFET MOSFET 2019-07-22
FQA9N90C-F109 900V,9A,1.4Ω,N沟道QFET MOSFET 2019-07-22
FQD9N25TM 250V,7.4A,420mΩ,N沟道QFET MOSFET 2019-07-22
FQP11N40C 400V,10.5A,530mΩ,N沟道功率QFET MOSFET 2019-07-22
FQP16N25 250V,16A,230mΩ,N沟道 QFET MOSFET 2019-07-22
FQPF6N80C 800V,5.5A,2.5Ω,N沟道 QFET MOSFET 2019-07-22
FQPF8N60C 600V,7.5A,1.2Ω,N沟道QFET Power MOSFET 2019-07-22
NTHL040N65S3F 650V,65A,40mΩ,N沟道SUPERFET功率MOSFET 2019-07-22
NTHL082N65S3F 650V,40A,82mΩ,N沟道Power MOSFET 2019-07-22
NTMFS4931NT1G 30V,246A,1.1mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-07-22
NTMFS4C024NT1G 30V,78A,2.8mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-07-22
NTMFS5C456NLT1G 40V,87A,3.7mΩ,单N沟道功率MOSFET 2019-07-22
NTMFS5C628NLT3G 60V,150A,2.4mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-07-22
NTMFS5C645NLT1G 60V,100A,4.0mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-07-22
NTMFS6D1N08HT1G 80V,89A,5.5mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-07-22
NVBLS0D7N04M8TXG 40V,240A,0.75mΩ,单N沟道功率MOSFET 2019-07-22
NVMFD5C470NT1G 40V,36A,11.4mΩ,双N沟道功率MOSFET 2019-07-22
NVMFD5C478NLT1G 40V,29A,14.5mΩ,双N沟道功率MOSFET 2019-07-22
NVMFS5C450NLAFT1G 40V,110A,2.8mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-07-22
NVMFS5C460NLWFAFT1G 40V,78A,4.5mΩ,单N沟道功率MOSFET 2019-07-22
NVMFS5C466NT1G 40V,49A,8.1mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-07-22
NVMFS5C628NLWFAFT1G 60V,150A,2.4mΩ,单N沟道功率MOSFET 2019-07-22
NVMFS5C677NLT1G 60V,36A,15mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-07-22
NVMFS5C680NLWFT1G 60V,21A,27.5mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-07-22
NVTR4503NT1G 30V,2.5A,110mΩ,小信号N沟道MOSFET 2019-07-22
NTPF110N65S3HF 650V,30A,110mΩ,N通道功率MOSFET 2019-07-22
FCP165N65S3 650V,19A,165mΩ,N通道功率MOSFET 2019-07-22
FDMC86184 100V,57A,8.5mΩ,N沟道屏蔽栅极 Power MOSFET 2019-07-22
FDB9409-F085 40V,80A,3.5mΩ,车用N沟道MOSFET 2019-07-22
FDT86246L 150V,2A,228mΩ,N沟道Power MOSFET 2019-07-22
FDS89161LZ 100V,2.7A,105mΩ,双N沟道屏蔽栅极MOSFET 2019-07-22
NCV84160DR2G 受保护的MOSFET高侧驱动器,12A,160mΩ 2019-07-22
FQPF9P25 620mΩ,-250V,-6A,P沟道QFET功率MOSFET 2019-07-22
FGH20N60UFDTU 600V,20A,场截止IGBT 2019-07-22
NLV74HC14ADR2G 带施密特触发器输入的六角反相器 2019-07-22
FQD3P50TM-AM002BLT 4.9Ω,-500V,-2.1AP沟道功率QFET MOSFET 2019-07-22
FAN5353MPX 3Mhz,3A同步降压稳压器 2019-07-22
TL331SN4T3G 比较器,单通道,开集极,低功耗,宽电源范围 2019-07-22
NVMFD5C680NLT1G 60V,26A,28mΩ,双N沟道功率MOSFET 2019-07-22
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NTP4813NLG 30V,13.1mΩ,51A,N沟道MOSFET 2019-07-22
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NVATS5A304PLZT4G 6.5mΩ,-60V,-120A,P沟道功率MOSFET 2019-06-14
NTLUS3A39PZTAG 39mΩ,-20V,-5.2A,P沟道功率MOSFET 2019-06-14
NVATS5A112PLZT4G -60V,-27A,43mΩ,P沟道功率MOSFET 2019-06-14
2V7002WT1G 60V,340mA,1.6Ω,N沟道小信号MOSFET 2019-06-14
ATP405-TL-H 100V,40A,33mΩ,N沟道MOSFET 2019-06-14
BVSS138LT1G 50V,0.2A,3.5Ω,N沟道小信号MOSFET 2019-06-14
FCD600N65S3R0 650V,6A,600mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-06-14
FCH040N65S3-F155 650V,65A,40mΩ,N沟道SuperFET III MOSFET 2019-06-14
FCH041N60E 600V,77A,41mΩ,N沟道SuperFET MOSFET 2019-06-14
FCH072N60F-F085 600V,52A,62mΩ,N沟道SuperFET II MOSFET 2019-06-14
FCH125N65S3R0-F155 650V,24A,125mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-06-14
FCP067N65S3 650V,44A,67mΩ,N通道SUP III功率MOSFET 2019-06-14
FCP260N65S3 650V,12A,260mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-06-14
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NCP186AMX295TAG 1A,带使能,快速瞬态响应,LDO线性稳压器 2019-03-28
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成像技术用于众多门禁和安防应用,包括智能可视门铃和锁。为了防止安全威胁,现在使用3D技术来增强应用程序的面部识别能力。为简化智能门禁和智能视频方案的开发,安森美半导体与Ambarella和Lumentum合作开发了3D感......[详情]
电机是全球电力的主要使用者,约占工业用电量的三分之二。据国际能源署报告,电机约占全球总用电量的45%。因此,提高电机驱动系统的能效对工业和其他电力消费者的成本具有重大影响。一种提高能效的方法是从交流线路......[详情]
电动机的大功率驱动系统是工业自动化和机器人系统的关键组件,因为它们消耗的电能超过一半。这些驱动系统在实现节能方面具有核心作用。自动化的步伐不断加快,使电机驱动系统成为未来行业的核心。 在更大功率下提高......[详情]
就像最近十年智能手机的发展一样,其他不断增长的市场也要求缩小的外形尺寸以及更多的功能和便携性。细分无人机市场在迷你型和微型无人机呈现出增长。我们看到助听器或耳机市场的显著增长,提供语音识别、接近传感器......[详情]
与传统的点对点 (P2P) 蓝牙联接不同,蓝牙低功耗网状网络实现了多对多拓扑,并使用托管泛洪来发送数据。因此,它们不需要任何集中式路由或路由表如以太网。蓝牙低功耗网格规范还提供了内置的多层加密安全性,因此网......[详情]
随着网络规模的扩大,对电力的需求也大幅增加。以太网已经是技术生态系统的关键部分,新的以太网供电(PoE)通用标准(IEEE 802.bt)将通过提供高达90瓦(W)的功率,帮助实现一些新的应用。安森美半导体的PoE受电设备(P......[详情]
电源是任何电子系统的基石。众所周知,如果没有电源,电子系统就不起作用。特别是对于先进驾驶辅助系统(ADAS),电源的重要性更高,因为电源管理单元的任何故障都可能对乘客或行人的身体健康造成严重影响。因此,AD......[详情]
汽车照明仍是汽车最重要的部分之一,并且这一领域的创新仍在继续。汽车厂商现在正添加新的颜色和功能到传统照明系统,以提供增强的美学吸引力和定制性,并提高安全性。随着汽车行业向全自动驾驶汽车 (AV) 发展,照......[详情]
该平台提供最先进的效率 ( >95.5% ),包括 AEC-Q101 SiC 电源器件和用于两级交流充电的驱动器。该套件采用模块化设计,带有多块电路板,并配有可执行的数字控制软件和图形用户界面,有助于在 OBC 应用中,测试和......[详情]
BLE 蓝牙模块采用安森美半导体 RSL10 蓝牙 5.0 BLE 芯片,模块引出主要应用 IO,板载晶振及陶瓷天线,用户拿到模块即可进行开发。针对场景应用、开发透传、HID、电表、IBeacon、电动牙刷等固件,可根据客户需求进一......[详情]
PoE(Power Over Ethernet),是指通过 100BASE-TX、1000BASE-T 以太网网络供电。通过这种方式,可以有效的解决 IP 电话、无线 AP、便携设备充电器、刷卡机、摄像头、数据采集等终端的集中式电源供电,对于这些终端......[详情]
利用可穿戴技术可以把多媒体、传感器和无线通信等技术嵌入人们的衣着中,可支持手势和眼动操作等多种交互方式。 应用框图 推荐器件展开全部系统监控(3) NCP360MUTBG具有内部 PMOS FET 和状态标志位的 USB 正电压过......[详情]
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