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NTHL025N065SC1
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 249.18
25+
CNY 202.04
50+
CNY 177.99
100+
CNY 159.05
250+
CNY 143.76
500+
CNY 131.15
1000+
CNY 120.57
厂商： onsemi
库存件数： 313
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×249.18 = 249.18
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：650
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：28.5
最大漏极电流Id(on)(A)：99
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：TO-247-3/-55~175
描述：650V，28.5mΩ，99A，N沟道碳化硅MOSFET
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