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FDMS8333L
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 11.15
25+
CNY 9.04
50+
CNY 7.97
100+
CNY 7.12
250+
CNY 6.44
500+
CNY 5.87
1000+
CNY 5.40
厂商： onsemi
库存件数： 15000
货期： 香港库存(7-10工作日)
数量： 
- ＋
  ×5.40 = 16200.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：40
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：3.1
最大漏极电流Id(on)(A)：76
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：PQFN-8/-55~150
描述：40V,76A,3.1mΩ,N沟道功率Trench MOSFET
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