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NVH4L070N120M3S
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 185.25
25+
CNY 150.20
50+
CNY 132.32
100+
CNY 118.24
250+
CNY 106.87
500+
CNY 97.50
1000+
CNY 89.64
厂商: onsemi
库存件数: 240
货期: 现货
数量: 
-
  ×185.25 = 185.25
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):1200
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):87
最大漏极电流Id(on)(A):34
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-247-4L/-55~175
描述:1200V,87mΩ,34A,N沟道功率MOSFET
温馨提示

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