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FCH125N65S3R0-F155
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 66.45
25+
CNY 53.88
50+
CNY 47.46
100+
CNY 42.42
250+
CNY 38.34
500+
CNY 34.97
1000+
CNY 32.15
厂商： onsemi
库存件数： 115
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×66.45 = 66.45
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：650
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：125
最大漏极电流Id(on)(A)：24
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：TO-247-3/-55~150
描述：650V，24A，125mΩ，N沟道功率MOSFET
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