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BSL308PEH6327
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 2.40
25+
CNY 2.18
50+
CNY 2.07
100+
CNY 2.00
250+
CNY 1.85
500+
CNY 1.76
1000+
CNY 1.71
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 暂无
货期： 暂无
数量： 
- ＋
  ×2.40 = 2.40
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：-30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：80
最大漏极电流Id(on)(A)：-2
通道极性：双P沟道
封装/温度(℃)：TSOP-6/-55~150
描述：-30V,-2A 双P沟道功率MOSFET
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