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FDB9503L-F085
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25+
CNY 41.10
50+
CNY 36.21
100+
CNY 32.35
250+
CNY 29.24
500+
CNY 26.68
1000+
CNY 24.53
厂商： onsemi
库存件数： 暂无
货期： 暂无
数量： 
- ＋
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  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：-40
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：2.6
最大漏极电流Id(on)(A)：-110
通道极性：P沟道
封装/温度(℃)：TO-263AB-2/-55~175
描述：-40V,2.6 mΩ,-110A,P沟道 PowerTrench MOSFET
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