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FDP083N15A-F102
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 48.28
25+
CNY 39.15
50+
CNY 34.49
100+
CNY 30.82
250+
CNY 27.85
500+
CNY 25.41
1000+
CNY 23.36
厂商： onsemi
库存件数： 4000
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×48.28 = 48.28
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：150
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：8.3
最大漏极电流Id(on)(A)：117
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：TO-220-3/-55~175
描述：150V,117A,8.3mΩ,N沟道PowerTrench MOSFET
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