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NTH4L015N065SC1
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 371.71
25+
CNY 301.39
50+
CNY 265.51
100+
CNY 237.26
250+
CNY 214.45
500+
CNY 195.64
1000+
CNY 179.86
厂商: onsemi
库存件数: 暂无
货期: 香港库存(7-10工作日)
数量: 
-
  ×214.45 = 96502.50
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):650
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):18@18
最大漏极电流Id(on)(A):142
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO247-4L/-55~175
描述:N沟道碳化硅MOSFET,650V,142A
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