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NVH4L045N065SC1
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 224.01
25+
CNY 181.63
50+
CNY 160.01
100+
CNY 142.99
250+
CNY 129.24
500+
CNY 117.90
1000+
CNY 108.39
厂商： onsemi
库存件数： 450
货期： 香港库存(7-10工作日)
数量： 
- ＋
  ×129.24 = 58158.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：650
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：50
最大漏极电流Id(on)(A)：55
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：TO247-4L/-55~175
描述：650V，50mΩ，55A，N沟道碳化硅MOSFET
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