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FQD7P20TM
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 9.11
25+
CNY 7.39
50+
CNY 6.51
100+
CNY 5.82
250+
CNY 5.26
500+
CNY 4.80
1000+
CNY 4.41
厂商： onsemi
库存件数： 5000
货期： 香港库存(7-10工作日)
数量： 
- ＋
  ×4.41 = 11025.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：-200
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：690
最大漏极电流Id(on)(A)：-5.7
通道极性：P沟道
封装/温度(℃)：TO-252-3/-55~150
描述：-200V,-3.6A,P沟道MOSFET
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