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BSS315PH6327
单位（片）
价格（含13%增值税）
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25+
CNY 0.73
50+
CNY 0.69
100+
CNY 0.67
250+
CNY 0.62
500+
CNY 0.59
1000+
CNY 0.57
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 暂无
货期： 暂无
数量： 
- ＋
  ×0.80 = 0.80
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：-30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：150
最大漏极电流Id(on)(A)：-1.5
通道极性：P沟道
封装/温度(℃)：SOT-23-3/-55~150
描述：-30V,-1.5A,P沟道功率MOSFET
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