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SPB08P06PGXT
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 4.10
25+
CNY 3.73
50+
CNY 3.53
100+
CNY 3.42
250+
CNY 3.15
500+
CNY 3.01
1000+
CNY 2.93
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 暂无
货期： 暂无
数量： 
- ＋
  ×4.10 = 4.10
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：-60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：300
最大漏极电流Id(on)(A)：-8.8
通道极性：P沟道
封装/温度(℃)：TO-263-3/-55~175
描述：-60V,-8.8A,P沟道功率MOSFET
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