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SPD50P03LGXT
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 9.77
25+
CNY 8.88
50+
CNY 8.14
100+
CNY 7.51
250+
CNY 7.29
500+
CNY 7.08
1000+
CNY 6.88
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 暂无
货期： 暂无
数量： 
- ＋
  ×9.77 = 9.77
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：-30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：7
最大漏极电流Id(on)(A)：-50
通道极性：P沟道
封装/温度(℃)：TO-252-5/-55~175
描述：-30V,-50A,P沟道功率MOSFET
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