0
您好,欢迎来到力源芯城,全场满300元包邮(首单满100包邮)!
热门搜索:STM32F103  |  STM32F030  |  TL431  |  LM317  |  NCP1117

首页  »  所有产品  »  分立半导体器件  »  MOSFET  »  INFINEON,N沟道MOSFET(20V—250V)  »  IPP023NE7N3G
 
IPP023NE7N3G
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 30.03
25+
CNY 27.30
50+
CNY 25.88
100+
CNY 25.02
250+
CNY 23.10
500+
CNY 22.08
1000+
CNY 21.45
厂商: Infineon Technologies
库存件数: 14
货期: 现货
数量: 
-
  ×30.03 = 30.03
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):75
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):2.3
最大漏极电流Id(on)(A):100
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220-3/-55~175
描述:75V,100A,N沟道功率MOSFET
温馨提示

请稍候...
全资子公司:
地址:湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷大道武大园三路5号
版权所有©2014   武汉力源信息技术股份有限公司

鄂公网安备 42018502002463号

   |   鄂ICP备13001864号-1    |   营业执照