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IPD50N04S4-08
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 3.42
25+
CNY 3.11
50+
CNY 2.95
100+
CNY 2.85
250+
CNY 2.63
500+
CNY 2.52
1000+
CNY 2.44
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 暂无
货期： 暂无
数量： 
- ＋
  ×3.42 = 3.42
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：40
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：7.9
最大漏极电流Id(on)(A)：50
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：TO-252-3/-55~175
描述：40V,50A,7.9mΩ,N沟道增强模式功率MOSFET
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