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IPW60R060P7
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 40.84
25+
CNY 37.12
50+
CNY 35.20
100+
CNY 34.03
250+
CNY 31.41
500+
CNY 30.03
1000+
CNY 29.17
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 暂无
货期： 暂无
数量： 
- ＋
  ×40.84 = 40.84
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：600
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：60
最大漏极电流Id(on)(A)：48
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：TO-247-3/-55~150
描述：600V,48A,60mΩ,N沟道增强模式功率MOSFET
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