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IPB011N04NG
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 11.16
25+
CNY 9.94
50+
CNY 9.55
100+
CNY 9.07
250+
CNY 8.74
500+
CNY 8.34
1000+
CNY 7.89
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 12
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×11.16 = 11.16
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：40
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：1.1
最大漏极电流Id(on)(A)：180
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：TO-263-7/-55~175
描述：40V,180A,N沟道功率MOSFET
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