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IPB014N06N
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 14.97
25+
CNY 13.33
50+
CNY 12.81
100+
CNY 12.17
250+
CNY 11.73
500+
CNY 11.19
1000+
CNY 10.58
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 7
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×14.97 = 14.97
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：1.4
最大漏极电流Id(on)(A)：180
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：PG-TO263-7/-55~175
描述：60V,1.4mΩ,180A,N沟道功率MOSFET
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