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NTHL080N120SC1
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 133.65
25+
CNY 108.37
50+
CNY 95.46
100+
CNY 85.31
250+
CNY 77.11
500+
CNY 70.34
1000+
CNY 64.67
厂商： onsemi
库存件数： 23850
货期： 香港库存(7-10工作日)
数量： 
- ＋
  ×77.11 = 34699.50
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：1200
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：80
最大漏极电流Id(on)(A)：44
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：TO-247-3/-55~175
描述：1200V，80mΩ，44A，N沟道碳化硅MOSFET
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