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SQS484CENW-T1_GE3
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25+
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50+
CNY 7.47
100+
CNY 4.98
250+
CNY 4.73
500+
CNY 4.61
1000+
CNY 4.48
厂商： Vishay
库存件数： 暂无
货期： 暂无
数量： 
- ＋
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  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：40
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：9.5@10V
最大漏极电流Id(on)(A)：16
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：PowerPAK 1212-8/-55~175
描述：汽车N沟道MOSFET，40V，16A，11mΩ
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