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厂商名称:Vishay
主要产品:分立半导体器件
Vishay 产品搜索

Vishay 是世界最大的分立半导体和被动元件的制造商之一。Vishay 元件用于工业、计算机、汽车、消费、电信、军事、航空及医疗市场的各种类型的电子设备中。


Vishay 的全球足迹包括在中国,亚洲其他五个国家/地区,欧洲及美洲设立的制造机构,以及在全球开设的销售办事处。Vishay 在技术,成功收购战略,注重降低成本, 以及提供“一站式”服务已使该公司成为全球业界的领先者。

产品图片 产品型号 描述 发布时间 购买
IRFB18N50KPBF 500V,290mΩ,17A,N沟道功率MOSFET 2024-03-15
SI2356DS-T1-GE3 40V,51mΩ,4.3A,N 沟道功率 MOSFET 2024-03-15
SQJA06EP-T1_GE3 60V,8.7mΩ,57A,N沟道功率MOSFET 2024-03-15
TZMC5V1-GS08 齐纳二极管 2024-03-15
SIHG018N60E-GE3 600V,23mΩ,99A,N沟道功率MOSFET 2024-03-15
SMAJ40A-E3/61 表面贴装TRANSZORB瞬态电压抑制器 2024-02-29
VS-20CTH03S-M3 超快整流器,2 x 10 A FRED Pt® 2024-02-29
WSKW06121L000FEA 1 mΩ±1% 1W 芯片电阻 2024-02-29
WSKW06123L000FEA 芯片电阻3 mΩ ±1% 1W 2024-02-29
MURS340-M3/9AT 表面贴装超快塑料整流器 2024-02-29
MURS360-M3/9AT 表面贴装超快塑料整流器 2024-02-29
TCLT1005 光电晶体管输出光耦 2024-02-29
MMA02040D3003FB300 芯片电阻 2024-02-29
SMM02040C3303FB300 薄膜微型MELF电阻器SMM0204 50 330KΩ 1% B3 2024-02-29
WSKW06122L000FEA 芯片电阻,2 mΩ ±1% 1W 2024-02-29
WSLP2010R0100FEA Power Metal Strip®电阻器,10mΩ±1%2W 2024-02-29
VS-20MQ100NTRPBF 肖特基二极管 100 V 2.1A 2024-02-29
TNPW06036K80BEEA 薄膜芯片电阻 6.8 kΩ ±0.1% 0.1W 2024-02-29
595D107X0010D2T 固体钽片电容器,100 µf,涂层 2024-02-29
SIHP18N50C-E3 500V,270mΩ,18A,N沟道功率MOSFET 2024-02-29
V1FL45HM3/H 肖特基整流器45 V 1A 2024-02-29
TZMC43-GS08 齐纳二极管 2024-02-29
NTCALUG01A473HA NTC 热敏电阻器 47kΩ 环形焊片 2024-02-29
BFC233810154 0.15 µF干扰抑制薄膜电容器-X1级径向MKP 440 VAC-标准跨线 2024-02-29
BFC233921104 0.1µF 薄膜电容器 2024-02-29
MKP1848550704K2 薄膜电容器 2024-02-29
MKT1820610015 10µF 薄膜电容器 2024-02-29
P4SMA300A-M3/61 TRANSZORB®瞬态电压抑制器 2023-12-27
S5M-E3/57T 表面贴装玻璃钝化整流器,1000V,5A 2023-12-27
VO14642AT 固态继电器 2023-12-27
ILQ1 光电晶体管输出光耦 2023-12-27
IRFU320PBF 400V,1.8Ω,3.1A,N沟道功率MOSFET 2023-12-27
IRF830PBF 500V,1.5Ω,4.5A,N沟道功率MOSFET 2023-12-27
IRFP460HPBF 500V,270mΩ,20A,N沟道功率MOSFET 2023-12-27
IRFP450APBF 500V,400mΩ,14A,N沟道功率MOSFET 2023-12-27
IRF840ALPBF 500V,850mΩ,8A,N沟道功率MOSFET 2023-12-27
IRFB9N60APBF 600V,750mΩ,9.2A,N沟道功率MOSFET 2023-12-27
IRFPE50PBF 800V,1.2Ω,7.8A,N沟道功率MOSFET 2023-12-27
IRFBE30SPBF 800V,3Ω,4.1A,N沟道功率MOSFET 2023-12-27
MMA02040D2003FB300 专业薄膜MELF电阻器 2023-12-13
IRFU120PBF 250V,2Ω,2.2A,N沟道功率MOSFET 2023-12-13
SQJ459EP-T1_GE3 18mΩ,-60V,-52A,P 沟道功率 MOSFET 2023-11-28
SUD19N20-90-E3 200V,90mΩ,19A,N沟道功率MOSFET 2023-11-28
V2PM15HM3/H 肖特基整流器150 V 2A 2023-11-28
IRFD110PBF 100V,1A,N沟道功率MOSFET 2023-11-14
SI2377EDS-T1-GE3 61mΩ,-20V,-4.4A,P沟道功率MOSFET 2023-11-14
BZD27C24P-HE3-08 齐纳二极管 2023-11-14
RS1KHE3_A/H 表面安装快速开关整流器 2023-11-06
IRFL210TRPBF 200V,1.5Ω,0.96A,N沟道功率MOSFET 2023-11-06
T51D107M010C0040 表面安装芯片电容器 2023-11-06
T51D107M016C0050 vPolyTanTM聚合物表面安装芯片电容器 2023-11-06
T51D227M010C0040 vPolyTanTM聚合物表面安装芯片电容器 2023-11-06
T51D227M6R3C0040 表面安装芯片电容器 2023-11-06
T51D337M004C0040 表面安装芯片电容器 2023-11-06
T51D476M025C0060 vPolyTanTM聚合物表面安装芯片电容器 2023-11-06
VS-10MQ040HM3/5AT 40 V高性能肖特基整流器,1 A 2023-10-20
1.5SMC220A-E3/9AT TVS二极管 表面贴装型 2023-10-20
GSOT36C-E3-08 ESD抑制器36V 2023-10-11
BYV26EGP-E3/73 玻璃钝化超快塑料整流器,1000V,1A 2023-10-11
MURS120-E3/52T 超快整流器,表面贴装,200V,1A 2023-10-11
VS-30CTH02-M3 超快整流器,200 V 15A 2023-10-11
VS-MUR1520-M3 超快整流器,15 A,200V 2023-10-11
VS-RA220FA120 标准整流器,220 A 2023-09-27
TMCMA0J107MTRF 钽质电容器-固体SMD,100µF 2023-09-27
VEML6040A3OG 带 I2C 接口的 RGBW 颜色传感器 2023-09-27
V20PWM60C-M3/I 肖特基二极管,60 V 10A 2023-09-06
SUM55P06-19L-E3 19mΩ,-60V,-55A,P沟道功率MOSFET 2023-09-06
SI5403DC-T1-GE3 30mΩ,-30V,-6A,P沟道功率MOSFET 2023-09-06
NTCALUG01A103F161A NTC热敏电阻器 10k 2023-09-06
NTCS0805E3103FLT NTC 热敏电阻器 10kΩ 2023-09-06
SML4738A-E3/61 表面安装齐纳二极管 2023-09-06
SI7415DN-T1-GE3 65mΩ,-60V,-15A,P沟道功率MOSFET 2023-09-06
SIS862ADN-T1-GE3 60V,7.2mΩ,52A,N 沟道功率 MOSFET 2023-07-18
1.5SMC56A-E3/57T 表面贴装TRANSZORB瞬态电压抑制器 2023-07-18
NTCS0805E3473JHT NTC 热敏电阻器 47kΩ 2023-07-18
AY2101K29Y5SS63L7 陶瓷电容器 Y5S,圆片式100 pF ±10% 440VAC 2023-07-18
SUM110P06-07L-E3 6.9mΩ,-60V,-110A,P沟道功率MOSFET 2023-06-28
1.5SMC30CAHE3_A/H 表面贴装 TRANSZORB 瞬态电压抑制器 2023-06-28
SISS63DN-T1-GE3 2.7mΩ,-20V,-31.5A,P沟道功率MOSFET 2023-06-28
SQJ147ELP-T1_GE3 12.5mΩ,-40V,-90A,P沟道功率MOSFET 2023-06-28
293D226X0035E2TE3 固体钽电容器 2023-06-28
BZD27C20P-HE3-08 具有浪涌电流规格的齐纳二极管 2023-06-28
SQ7414CENW-T1_GE3 60V,23mΩ,18A,N沟道功率MOSFET 2023-06-28
SQ2318AES-T1_GE3 40V,31mΩ,8A,N沟道功率MOSFET 2023-06-28
WSL0805R0100DEA18 片式电阻器,10 mΩ±0.5%0.25W 2023-06-28
SiC467ED-T1-GE3 降压开关稳压器 2023-05-24
SS5P10HM3_A/I 肖特基二极管 100 V 5A 2023-05-24
VY1102M35Y5UQ6TV0 陶瓷电容器 1000 pF ±20% 760VAC 2023-05-24
IHLP2525CZER1R0M01 1uH,±20%,高电流IHLP电感器 2023-05-06
VB30200C-E3/8W 肖特基整流器,200V,30A 2023-05-06
P4SMA12A-E3/61 表面贴装TRANSZORB瞬态电压抑制器 2023-05-06
SI7489DP-T1-GE3 41mΩ,-100V,-28A,P沟道功率MOSFET 2023-05-06
MURS120HE3_A/H 超快整流器,表面贴装,200V,1A 2023-04-20
WSR3R0150FEA 电流传感电阻器 - SMD 3w,15mΩ,1% 2023-04-20
SFH615A-3X009 晶体管输出光电耦合器 2023-04-20
BZG05C3V3-HM3-08 齐纳二极管,3.3 V 1.25 W 2023-04-20
CRCW040210R5FKED 标准厚膜片式电阻器,10.5Ω±1%0.063W 2023-04-20
VO615A-9 光电晶体管输出光耦合器,耐高温 2023-04-20
TCLT1009 单通道晶体管输出光电耦合器 2023-04-20
VO615A-3X007T 光电晶体管输出光耦 2023-04-20
DG468DV-T1-E3 低功耗、高电压 SPST 模拟开关 2023-04-20
CRCW04021M60JNED 标准厚膜片式电阻器 2023-03-21
CRCW06034R70FKEA 标准厚膜片式电阻器,4.7Ω±1%0.1W 2023-03-21
ZM4752A-GS08 33V,±5%,1W,齐纳二极管 2023-03-21
IHLP2020BZER1R0M11 IHLP商用电感器,低DCR系列 2023-03-21
IHLP2525CZER1R0M01 1uH,±20%,高电流IHLP电感器 2023-03-21
VB30100C-E3/8W 肖特基二极管与整流器 30A,100V 2023-03-21
AC03000001500JAC00 线绕电阻器,3W,150Ω,5% 2023-03-21
SQ2315ES-T1_GE3 50mΩ,-12V,-5A,P 沟道功率 MOSFET 2023-03-09
PR02000201503JA100 功率金属膜引线电阻器 2023-03-09
WSL10203L000FEA 片式电阻器,3 mΩ±1%2W 2023-03-09
CRCW020147K0FKED 厚膜片式电阻器,47kΩ,±1%,0.05W 2023-03-09
CRCW04029K09FKED 标准厚膜片式电阻器,9.09 kΩ±1%0.063W 2023-03-09
MSX1PBHM3/89A 表面贴装ESD整流器 2023-02-14
BZX384B16-E3-08 齐纳二极管 2023-02-14
MBR30H60CT-E3/45 肖特基二极管60 V 15A 2023-02-14
P6SMB160A-E3/52 表面贴装 TRANSZORB 瞬态电压抑制器 2022-12-28
CRCW02014K70FKED 厚膜电阻器,SMD,50mW, 4.7Kohms,1%,100ppm 2022-12-06
CRCW02010000Z0ED 厚膜电阻器,SMD 2022-12-06
VY1222M43Y5UC6UV0 陶瓷电容器 Y5U,2200 pF ±20% 760VAC 2022-11-16
MKP1848510924K2L20 金属化聚丙烯薄膜电容器 DC-Link 电容器 2022-11-16
293D476X0020E2TE3 固体钽电容器 2022-11-16
1N4006-E3/54 通用塑料整流器,800 V 1A 2022-11-16
VS-30ETH06-M3 超快整流器,600 V 30A 2022-11-16
1.5SMC33CAHE3/57T 28.2VWM,1500W,表贴型双向TVS二极管 2019-05-16
T55D227M010C0007 220uF,10V,±20%,钽质电容器-固体 2019-05-16
T55V157M6R3C0018 150uF,3.6V,±20%,钽质电容器-固体 2019-05-16
P6SMB30AHE3/52 峰值功率600W,30V,单向通道,齐纳TVS 2018-12-14
GSD2004WS-E3-08 240V,225mA,高压小信号开关二极管 2017-03-24
BAV21WS-E3-18 200V,250mA,高压小信号开关二极管 2017-03-24
SMCJ54A-E3/57T 54VWM,1500W,单通道TVS二极管 2016-12-09
TSOP4838 45m,38KHz,红外接收器模块用于远程控制系统 2016-08-11
SMCJ12CA-E3/57T 1500W,12V,双向通道表贴TVS二极管 2016-08-02
ILD213T 双通道光电晶体管输出型光电耦合器 2016-04-22
SMAJ6.5CA-E3/61 400W,6.5V,双向TVS二极管 2016-04-22
在电路保护设计中,电子保险丝 ( eFuse ) 是一个令人兴奋的技术,也代表着一种创新的新趋势——这种基于半导体技术、具有自恢复特性的解决方案,正在快速取代传统的机械继电器和接触器以及不可恢......[详情]
电动汽车电池管理系统使用柔性 PCB 时,激光焊接产生的机械应力和温度变化会导致表面贴装 NTC 热敏电阻热开裂,这是一种难以预测的潜在严重故障。采用软端子和块状金属氧化物工艺的贴片热敏电阻可最大限度减小元件开......[详情]
本文为大家介绍氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势,以及如何权衡利弊。主要权衡因素之一是开关损耗,开关损耗会被高 di/dt 和 dv/dt 放大,造成电路噪声。为了减少电路噪声,需要......[详情]
人机交互(HMI)一直是这些年的技术焦点,其中非接触操作更是一个特别能够激发工程师“创作灵感”的主题——无需与机器或设备的物理接触,只需靠近或者做个手势,即可让其根据......[详情]
电子系统中 Power IC 的作用就是为计算处理核心器件供电,其中最典型的就是 DC/DC 转化器模块,它会将电源总线上的电压转化为负载点(POL)所需的电压。而随着新一代计算处理核心器件(如 CPU、DSP、FPGA 和 ASIC 等......[详情]
Vishay 的车载无线充电解决方案涵盖目前主流平台,其中 Vishay 的 MOSFET 以高可靠性、低内阻、高性价比策略以覆盖主流的前装市场。主推型号都有通过车规 AEC-Q101 认证,满足车厂认证要求。 应用框图 优势通过车规 ......[详情]

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