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SUD19N20-90-E3
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 57.53
25+
CNY 38.35
50+
CNY 28.76
100+
CNY 19.18
250+
CNY 18.22
500+
CNY 17.74
1000+
CNY 17.26
厂商： Vishay
库存件数： 40000
货期： 香港库存(7-10工作日)
数量： 
- ＋
  ×17.26 = 34520.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：200
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：90
最大漏极电流Id(on)(A)：19
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：DPak-2/-55~175
描述：200V,90mΩ,19A,N沟道功率MOSFET
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