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SIZ240DT-T1-GE3
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 33.46
25+
CNY 22.31
50+
CNY 16.73
100+
CNY 11.15
250+
CNY 10.60
500+
CNY 10.32
1000+
CNY 10.04
厂商： Vishay
库存件数： 18000
货期： 香港库存(7-10工作日)
数量： 
- ＋
  ×10.04 = 30120.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：40/40
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：8.05/8.41
最大漏极电流Id(on)(A)：48/47
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：PowerPAIR? 3 x 3S-8/-55~150
描述：双N沟道40V（D-S）MOSFET
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